半导体物理8异质结xi.pptxVIP

1 半导体物理 （电子1201-1206） 奚燕萍 2014.11 2 3 本章内容提要 概念回顾 异质结及其能带图 异质结的电流输运机构 材料选择及制备工艺 异质结在器件中的应用 4 5 异质结概念（1951） 理论上有更高的注入效率（1957） 汽相外延生长技术的发展（1960年第一次制造成功） 工艺技术困难 之后得到广泛应用，推动了光纤通信，同时也促进了异质结物理研究的深入开展。异质结LED、太阳能电池、激光器等，比同质结性能优越 异质结激光二极管问世（1969） 室温连续的砷化镓/铝镓砷双异质结激光器研制成功（1970） 认真摸索生长规律和完善了制造工艺，随后异质结的生长技术，异质结器件都有很大发展 6 尽管目前大多数电子器件是用硅、锗、砷化镓等材料的同质p-n结构成，但是不少光电器件却需要利用两种不同的材料构成的异质界面才能更有效的工作。（Why？） 由于两种材料电子亲和能和带隙宽度、折射率、介电常数等都不同，异质结常具有两种半导体各自的p-n结都不能达到的优良的特性（高迁移率，高辐射复合效率，量子霍尔效应…），使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。 7