GaN结晶和基板的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 GaN结晶和基板的制作方法 gan结晶和基板技术领域1.本创造涉及gan结晶和基板，特殊涉及半绝缘性gan结晶和含有半绝缘性gan结晶的基板。背景技术：2.gan(氮化镓)是iii族氮化物化合物的一种，其具备属于六方晶系的纤锌矿型的晶体结构。3.近年来，作为gan?hemt(高电子迁移率晶体管，high electron mobility transistor)用的基板，争辩了设有半绝缘性gan层作为表面层的基板、整体由半绝缘性gan结晶形成的单晶gan基板(专利文献1)。4.通常将具有1×105ωcm以上的室温电阻率的gan称为半绝缘性gan。5.为了使gan为半绝缘性，已知利用fe(铁)、mn(锰)、c(碳)之类的具有补偿n型载流子的作用的杂质进行掺杂即可。这样的杂质有时被称为补偿杂质。6.依据专利文献1中记载的内容，据称是在某一特定条件下使室温电阻率为8.5×109ωcm、(004)xrd摇摆曲线的半峰宽为33arcsec、厚度5μm的fe掺杂半绝缘性gan层利用hvpe(氢化物气相外延生长，hydride vapor phase epitaxy)在蓝宝石基板上进行生长而得到的。需要解释的是，该fe掺杂半绝缘性gan层的位错密度据记载为大致1×108/cm2的等级的前半段到大致1×107/