半导体中的电子态.pptVIP

1.2 半导体中的电子状态和能带  1.2.1 原子的能级和晶体的能带 孤立原子的能级 定态条件：电子只能处于一些分立的轨道上绕核转动，这些定态的轨道即所谓的电子壳层。 不同原子的相似壳层的交叠使得电子可以在整个晶体中运动 第二十九页，共77页 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 第三十页，共77页 考虑N个原子组成的晶体 （1）越靠近内壳层的电子，共有化运动弱，能带窄。 （2）各分裂能级间能量相差小，看作准连续 （3）有些能带被电子占满（满带），有些被部分占满（半满带），未被电子占据的是空带。 原子能级 能带 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 第三十一页，共77页 例：半导体Si的能带结构的形成 孤立Si原子的能级示意图 Si的14个电子中的10个都处于靠近核的深层能级，其余4个价电子相对来说受原子的束缚较弱 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 第三十二页，共77页 半导体Si的能带形成示意图 满带 空带 禁带宽度 晶格常数 a0 导带 价带 禁带宽度 第三十三页，共77页 n=1和n=2的两个较深的能带是满带。考虑n=3的能带，3s有两个量子态，3p有6个量子态，N个Si原子形成固体时，随着原子间距的减少，3s和3p互相作用并产生交迭，在平衡态的原子间距位置产生能带分裂，但每个原子中有四个量子态处于较底能带，4个量子态则处于较高能带。T=0k时，能量