第一章半导体物理基础.pptxVIP

半导体器件物理Physics of Semiconductor Devices主讲教师：陈占国电子邮件：czg@办公电话机号码：办公地点：唐敖庆楼D334课程简介《半导体器件物理与实验》 2005 年 5月 吉林大学校级精品课程2005 年 8月 吉林省省级精品课程2007 年12月 教育部国家级精品课程《半导体器件物理》《半导体器件物理与实验》课程的理论课部分面向专业：微电子学、光电子学、电子科学与技术课程简介课程地位：主干专业基础课，硕士研究生入学考试科目。 前期课程：普通物理、结晶学、量子力学、半导体物理学。后续课程：集成电路，微电子技术，半导体光电子学等。主要内容：介绍一些常见半导体器件的基本结构、基本工作原理、基本性能和基本制造工艺等。教学团队课程负责人：孟庆巨 教授，课程主讲教师：刘海波 教授,陈占国 教授,作业辅导：王 琦 博士， wangqiwangqiwq12@, 教材《半导体器件物理》孟庆巨 刘海波 孟庆辉 编著科学出版社出版2005年1月 第一版，第一次印刷2005年7月 第二次印刷2006年3月 第三次印刷2009年2月 第四次印刷2009年11月 第二版，第六次印刷参考资料半导体器件物理课件---ppt《半导体器件物理学习指导》半导体器件物理习题及参考答案半导体器件物理复习纲要《半导体器件物理与实验》国家精品课程网站吉大网站→校内办公→教学在线→吉林大学课程中心→课程资源→精品课程→国家级（第二页）→半导体器件物理与实验/G2S/Template/View.aspx?action=viewcourseType=0courseId=21主要参考书Physics of Semiconductor Devices，Third Edition, S. M. Sze and Kwok K. Ng, Published by John Wiley Sons, Inc. in 2007.Semiconductor Physics and Devices——Basic Principles， Third Edition, Donald A. Neamen，Published by McGraw-Hill, in 2003.《半导体器件基础》， [美] Robert F. Pierret，电子工业出版社，2004.《现代半导体器件物理》，[美] 施敏（ S. M. Sze ），科学出版社，2001.《半导体器件基础》，[美]爱德华. S. 杨 著，卢纪 译 ，人民教育出版社，1981年7月。课程内容（共56学时）第一章 半导体物理基础（4学时）第二章 PN结（12学时）第三章 双极结型晶体管（10学时）第四章 金属-半导体结（5学时）第五章 结型场效应晶体管和 肖特基势垒场效应晶体管（5学时）第六章 MOS场效应晶体管（8学时）第七章 电荷转移器件（4学时）第八章 太阳电池与光电二极管（4学时）第九章 发光管与半导体激光器（4学时）第一章 半导体物理基础Chapter 1 Fundament of Semiconductor Physics E学习目的重点知识回顾：能带理论；载流子统计分布；载流子的输运现象；非平衡载流子的产生与复合；公式符号衔接：电荷：电场：电势：补充必要知识：静电势；费米势；修正的欧姆定律；半导体中的基本控制方程。1.1—1.6 能带理论和杂质能级（自学）基本概念与基本原理共有化运动；电子态；周期性势场；布洛赫定理；波矢量；倒格矢；倒格子；布里渊区；周期性边界条件；导带；价带；禁带；晶体能带的性质；有效质量；导带电子；价带空穴；准动量；电子和空穴在外力作用下的运动规律；金属、半导体、绝缘体的能带特征；Si、Ge、GaAs等常见半导体的能带结构；能谷；横向有效质量；纵向有效质量；直接带隙；间接带隙；施主杂质；受主杂质；杂质能级；N型半导体；P型半导体；深能级。导带中的状态密度Ec1.7 载流子的统计分布1.7.1 状态密度（Density of States, DOS) 0. 定义：单位体积晶体中单位能量间隔内的状态数。 1. 导带状态密度：价带中的状态密度Ev1.7 载流子的统计分布1.7.1 状态密度（Density of States, DOS) 2. 价带状态密度：E导带E导带EcEcEg禁带Eg禁带EvN（E）Ev 价带价带简单能带图状态密度N(E)与能量E的关系1.7 载流子的统计分布1.7.1 状态密度（Density of States, DOS）1.7 载流子的统计分布1.7.2 费米分布函数和费米能级 1. 费米分布函数：电子——费米子