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PERL Si 基LED 的几种关键技术分析 刘伟;牛萍娟;李晓云;郭维廉 【期刊名称】《《光机电信息》》 【年(卷),期】2009(026)001 【摘要】Si 材料在微电子集成领域有着不可替代的地位 .然而,在光电集成领域, 由于 Sj 为间接带隙半导体材料,Si材料本身并不是很适合用来制作发光器件.但是,成熟的微电子制造技术促使 Si 基光电器件的研究受到了越来越多的关注.本文介绍了在全硅发光取得新突破的 PERL 型 Si 基 LED,分析了该结构中提高发光效率的关键技术,并对此结构进行评述,给今后的全硅发光研究领域提供了一个新的思路. 【总页数】4 页(34-37) 【关键词】PERL; 硅基 LED; 光陷阱;转换效率 【作者】刘伟;牛萍娟;李晓云;郭维廉 【作者单位】天津工业大学信息与通信工程学院 天津 300160; 天津大学电子信息工程学院 天津 300072 【正文语种】中文 【中图分类】TN312.8 【相关文献】 PERL Si基 LED 的几种关键技术分析 [J]刘, 伟; 牛萍娟; 李晓云; 郭维廉 基于复杂机电系统理论的全自动 LED 粘片机及其关键技术分析 [J],吴小洪;曹占伦; 姜永军; 林晓新 白光 LED 室内可见光通信的关键技术分析 [J]王, 顺