大学学习20122013学年模电ch041修改.pptxVIP

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2021-11-09 发布于北京
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大学学习20122013学年模电ch041修改.pptx

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;4.1.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。;; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏集电结反偏; 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 ;2. 电流分配关系;;集电极发射极间的反向饱和电流(又称穿透电流）ICEO ;3. 三极管的三种组态; 三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。; (1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const;1. 电流放大系数 ; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM; 3. 极限参数;4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响