半导体器件作业-有答案.pdfVIP

1． 半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2 ． 下列固体中，禁带宽度 Eg 最大的是（ C ） Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3 ． 硅单晶中的层错属于（ C ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4 ． 施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征 激发后 向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5 ． 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6 ． 衡量电子填充能级水平的是（ B ） Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级 7 ． 载流子的迁移率是描述载流子