第六章半导体器件的基本特性讲解PPT课件.ppt

2.全波整流电路 全波整流电路输入波形的正负半周都得到利用，整流效率最高。一般采用桥堆进行整流，四个二极管两两交替导通起开关作用。 D4 D2 D1 D3 + ? ~ ~ ~+~- 桥堆内部电路 桥堆典型封装 + _ ui n:1 ? ? + _ uO RL D4 D2 D1 D3 D4 D2 D1 D3 RL ? + u2 全波整流电路 带输入变压器的全波整流电路 简化电路 输入电压为正半周时，D1D3导通， D2D4截止。 输入电压为负半周时，D2D4导通， D1D3截止。 全波整流电路整流原理 D4 D2 D1 D3 RL ? + u2 uO + ? 正半周 D4 D2 D1 D3 RL ? + u2 uO + ? 负半周 输入电压的正负半周都有电流流过负载而且电流方向一致（单向脉动）。 uo 0 u2 0 t w t w 输出电压 u0的直流分量： 负载平均电流为： 每个二极管中流过的电流是负载电流的一半。选择整流二极管要求最大整流电流满足： u2 u0 0 0 ?t ?t D4 D2 D1 D3 RL ? + u2 uO + ? o o L U I R = o I u1 0 ?t 一对二极管在反向截止时，每个管子承受的电压都是变压器副边电压的峰值，选择整流二极管时要求反向工作峰值电压满足： + _ u1 n:1 ? ? + _ uO RL D4 D2 D1 D3 2 2m RWM 2 U U U = 2．模型分析法应用举例 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 当VDD=1V 时， （自看） （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 三种模型的计算精度比较 二极管的静态工作情况分析，求iD ①理想模型 ②恒压模型 ③折线模型 外加电压越高，计算精度误差越小。 设 : Vth=0.5V ; rd=0.2K? ( VON = 0.7V 硅二极管） R D V iD vD + – 10k? 10V NS D iD vD + – V 0 D = V mA D 1 / = = R V i mA D 93 . 0 / ) ( = - = R V V I ON mA 931 . 0 D th DD D = + - = r R V V I V D D th D 69 . 0 = + = r I V v 例1，(填空题)如图所示电路中，D1～D3为理想二极管， A、B、C白炽灯泡功率相同，其中最亮的灯是 ___ 。 解：VS正半周时D1、D3导通， D2截止A、C被短路， VS 的 正半周电压全部加到B上。 VS负半周时D1、D3截止，D2 导通B被短路， VS 的负半周 电压全部加到A、C上。 VS全周期加到A、C上的平均电压只有B的一半。 所以最亮的灯是 B 。 + D1 D2 D3 VS A B C 例2.图示电路中 设D导通时正向压降为 0.7V，求流过 二极管中的电流 ID 。 解：运用戴维宁定理 D 5V + ? + ? 3KW ID 10V 3KW D + ? ID 2.5V 1.5KW 二极管正向导通 其正向压降为0.7V。 mA D 2 . 1 5 . 1 7 . 0 5 . 2 = - = \ I 例3.图示电路中 设D导通时正向压降为 0.7V，求流过二极管 中的电流 ID 。 D 3V + ? + ? 120Ω ID 1.2V 120Ω ∴ ID = 4.5833mA 300Ω D 5V + ? + ? 200Ω 300Ω ID 2V 200Ω ID=(3-1.2-0.7)/240 =4.5833mA 解：运用戴维宁定理 由KVL: 3-120ID-0.7-120ID-1.2 = 0 6.2.3 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 低电阻 大的正向扩散电流 正向电压使PN结内建电场减弱，空间电荷区变薄, 产生较大的正向扩散电流。 扩散?飘移，正向电流大 6.2.3 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (2) PN结加反向电压时 高电阻 很小的反向漂移电流 外加电场与PN结内建电场方向一致，使PN结空间电荷区变宽，扩散电流趋于零，只存在少数载流子的漂移 ,形成反向饱和电流，其数值很小，一般为微安（