第二章3-半导体和超导PPT课件.ppt

2.4 半导体; 元素半导体介于金属和非金属之间，现在90％的半导体器件的原材料是Si，未来化合物半导体将会有很大发展;2.4.1 本征半导体;硅的晶体结构 属于面心立方结构;满 带;空带;2、半导体载流子数量的计算;电子总数;同样，可计算空穴的数量;2.4.2 杂质半导体; n 型半导体 ;二、P型半导体（Positive）; P型半导体;三、非本征半导体的电子和空穴数;于是;（2）较高温度;2.4.3 导电性和载流子迁移率;则电流密度;3、电阻率和温度的关系;半导体的其他重要技术参数;1、Ｐ－Ｎ结的形成;内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动，达到了新的平衡。;P-N结处存在电势差Uo;空带;阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向N区运动，电子向P区运动， 形成正向电流（mＡ级）。;p型;当外电场很强,反向电压超过某一数值后，反向电流会急剧增大----反向击穿。;2、晶体管; ;1958年8月16日发明了第一个具有使用功能的集成电路;集成电路的编织（Fabrication ） ;大规模集成电路（VLIC）;CPU的散热片;2.5 超导电性;表征超导体性质的三个指标;三、BCS理论;超导应用;2.7 电性能测量及其应用