半导体制造工艺.pptxVIP

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扩 散;本章重点;掺杂:掺杂技术是在高温条件下,将杂质原子以一定的可控量掺入到半导体中,以改变半导体硅片的导电类型或外表杂质浓度。 形成PN结、电阻 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅;扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式。 高温扩散:杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散到硅片的外表,这些杂质浓度将从外表到体内单调下降,而杂质分布主要是由高温与扩散时间来决定。;扩散工艺的优越性: 〔1〕可以通过对温度、时间等工艺条件的准确调节,来控 制PN结面的深度和晶体管的基区宽度,并能获得均匀平坦 的结面。 〔2〕可以通过对扩散工艺条件的调节与选择,来控制扩散 层外表的杂质浓度及其杂质分布,以满足不同器件的要求。 〔3〕与氧化、光刻等技术相组合形成的硅平面工艺有利于改 善晶体管和集成电路的性能。 〔4〕重复性好,均匀性好,适合与大批量生产。 ;离子注入:掺杂离子以离子束的形式注入半导体内,杂质浓度在半导体内有个峰值分布,杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。 ;掺杂区;6.1 根本扩散工艺;电炉;扩散方程式; (2)填隙式扩散 ;在一定的温度范围内,D可表示为;扩散分布;恒定外表浓度扩散 不能全写公式 t为时间 t=0 掺杂浓度为0;图为余误差函数分布;有限源扩散;扩散原理;推进:高温过程,使淀积的杂质穿过晶体,在硅片中形成期望的结深。 此阶段并不向硅片中增加杂质,但是高温下形成的 氧化层会影响推进过程中杂质的扩散,这种由硅表 面氧化引起的杂质浓度改变成为再分布。;杂质移动;横向扩散;扩散层测量;假设R0是磨槽所用工具的半径,那么可得结深:;方块电阻〔薄膜电阻〕;扩散工艺;扩散常见的质量问题;作 业;9、 人的价值,在招收诱惑的一瞬间被决定。6月-216月-21Monday, June 28, 2021 10、低头要有勇气,抬头要有低气。03:26:1603:26:1603:266/28/2021 3:26:16 AM 11、人总是珍惜为得到。6月-2103:26:1603:26Jun-2128-Jun-21 12、人乱于心,不宽余请。03:26:1603:26:1603:26Monday, June 28, 2021 13、生气是拿别人做错的事来惩罚自己。6月-216月-2103:26:1603:26:16June 28, 2021 14、抱最大的希望??作最大的努力。28 六月 20213:26:16 上午03:26:166月-21 15、一个人炫耀什么,说明他内心缺少什么。。六月 213:26 上午6月-2103:26June 28, 2021 16、业余生活要有意义,不要越轨。2021/6/28 3:26:1603:26:1628 June 2021 17、一个人即使已登上顶峰,也仍要自强不息。3:26:16 上午3:26 上午03:26:166月-21

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