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LEMICRO
GD32 介绍与 STM32 兼容性汇总
一、 GD32 与 STM32 异同
1. 相同点
1) 外围引脚定义： 相同型号的管脚定义相同
2) Cortex M3内核： STM32F103 内核 R1P1 版本, STM32F205 内核 R2P1 ，
GD32 内核 R2P1 版本，此内核修复了 R1P1 的一些 bug
3) 芯片内部寄存器，
外部 IP 寄存器地址 : 逻辑地址相同，主要是根据 STM32 的寄存器和物理地址,
做的正向研发.
4) 函数库文件： 函数库相同，优化需要更改头文件
5) 编译工具： 完全相同 例如：keil MDK、IAR
6) 型号命名方式： 完全相同
2. 外围硬件区别
1) 电压范围（ADC ）： GD32F： 2.6-3.6V STM32F： 2.0-3.6V（外部电压）
GD32F： 1.2V（内核电压）STM32F： 1.8V（内核电压）
2) BOOT 0 管脚： Flash程序运行时，BOOT0在STM32上可悬空，GD32必须外
部下拉（从Flash运行，BOOT0必须下拉地）
3) ESD 参数： STM32人体模式 2KV,空气模式500V
GD32 人体模式4KV(内测5KV),空气模式10KV(内测15KV)
3. 内部结构差别
1) 启动时间： GD32 启动时间相同，由于 GD运行稍快，需要延长上电时间
配置(2ms)
2) 主频时钟： GD32F10系列主频108MHZ STM32F10系列主频72MHZ
3) Flash擦除时间： GD32 是60ms/page，STM 30ms/page
4) FLASH容量： GD32最大容量3M Byte
5) SRAM空间： GD32F103系列、GD32F105\107大容量系列SRAM 96K
6) VB 外扩总线 FSMC：GD32 100PIN配置总线输出，STM32 144PIN并且256k以上
才配置总线输出
4. 功耗区别(以128k以下容量的作为参考)
1) 睡眠模式Sleep： GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA
2) 深度睡眠模式Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA
3) 待机模式Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA
4) 运行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M
北京菱电科技有限公司 Tel:010
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5. 内部FLASH 区别
1) ISP： 擦写时间同 STM32有差异，使用新版ISP软件
2) IAP： 擦写时间相同，按字写入，按页擦除
3) 存储寿命： 10万次擦写，数据保存20年以上
4) 加密特性： 除了常规的禁止读出和96位ID号码加密之外，GD32数据写入
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