材料物理性能本热.pptxVIP

1;2。晶格振动热容;德拜模型;（a)德拜近似的分布函数 （b)实际晶体中分布函数 ;德拜热容特点： 当x1时，热容趋于经典极限3R 在极低温度下，热容和温度T3成比例 ;Debye constant-volume molar heat capacity curve. The dependence of the molar heat capacity Cm on temperature with respect to the Debye temperature: Cm vs. T/TD. 例： Si, TD = 625 K so that at room temperature (300 K), T/TD = 0.48 and Cm is only 0.81*3R.;德拜理论不能解释金属热容实验值的地方： 很低的温度T＜5K，实验表明Cv正比于T， 高温区，Cv虽然很接近，但并不是以3R为渐近线???而是超过3R继续有所上升。 ;Why?;9;金属材料德拜温度和熔点的关系 德拜温度是反映原子间结合力的又一重要物理量。熔点高，也即材料原子间结合力强，ΘD就高， ;4.相变过程的热容变化;热膨胀;2 热膨胀的机制是什么？;14;3 热膨胀系数与其他物理量之间的关系;注意?单位！;4 影响热膨胀系数的因素;D.热膨胀的反常现象，因瓦效应 ;材料的导热性;热传导现象可以用傅立叶(Fourier)定律来描述。对于两端温度分别是T1,T2的均匀棒，当各点温度不随时间变化时(一维稳态） ，在△t时间内沿x轴正方向传过△S截面上的热量为△Q ： ;只是由于自身存在的温度梯度将导致热端温度不断下降，冷端温度不断上升，随时间推移最后会使冷热端温度差趋近于零，达到平衡状态。因此可导出截面上各点的温度变化率为： ;22;2。材料热传导的机制 ;在上述2个作用相反的因素作用下，不同的金属有非常不一样的热导行为: 例如铁，热导开始随温度升高而下降，（由于迁移率下降），然后轻微增加。（由于晶格振动） 而Pt的热导随温度升高增加。 ;如果不考虑电子对热传导的贡献，则晶体中的热传导主要依靠声子碰撞来完成。 设晶格振动对单位体积热容量的贡献为CV，晶体一端温度为T1，另一端为T2，温度高的那一端，晶体的晶格振动具有较多的振动模式和较大的振动幅度，也即较多的声子被激发，具有较多的声子数。 这些格波传至晶体的另一端，使那里的晶格着振动趋于具有同样多的振动模式和幅度，这样就把热量从晶体的一端传到另一端。 如果晶体振动间也即声子间不存在相互作用，则热导系数?将为无穷大，晶体间不能存在温度梯度。 实际上，声子间存在相互作用，当它们从一端移至另一端时，相互间会发生碰撞，也会与晶体中的缺陷发生碰撞。 因此声子在晶体中移动时，有一个自由路程 l，这是在两次碰撞之间声子所走过的路程。 ;对于两端温度分别是T1,T2的均匀棒，当各点温度不随时间变化时，在单位时间△t时间内通过单位面积的热量Q为 ： ;;28; -- A brass(黄铜) rod is stress-free at room temperature (20oC). -- It is heated up, but prevented from lengthening. -- At what temperature does the stress reach -172 MPa?;30;第30页/共43页;铜：常温(20—100℃)时400W/(m·K) 铝：常温(20—100℃)时250W/(m·K) Cr: 导热系数／W/mK: 常温下，45号钢的导热系数为50 W/(m·K)， 人造金刚石：； β-S i3N4 陶瓷:到200~ 320 W/(m·K)，微波窗口 AlN理论热导率为319W/m.K 电子封装 二氧化硅的物理形态（熔融、结晶等）不同，热导率有一定差异，平均值为1.4W/m.℃ 有机玻璃亚克力的热导率；在20摄氏度下一般为 聚氨酯发泡保温材料：0.022w/(m.k) ;作业（下周交）;;正日新月异的向前发展。电子封装用于半导 体 集 成电路IC技术中。 封装中，最重要的性能指标是导热系数和热膨胀系数。 高集成度IC在工作中产生的热量必须及时释放以防在过热的状态下工作，从而影响其寿命和功能。 此同时，我们必须要求封装材料的热膨胀系数尽量与芯片保持一致，否则，随工作温度的升高，将不可避免的在相邻部件间及焊接点处产生热应力，从而导致结合处蠕变，疲劳以至断裂。;现今大量使用的环氧玻璃布类板材作为PCB基材 ，其导热系数一股为0．2W／m℃。普通的电子电路由于发热量小，通常采用环氧玻璃布类基材制作，其产生的少量热量一般通过走线热设计和元器件本身散发出去。 随着元件小型