模拟电子技术第三江晓安 .pptx

1;专业基础课课程体系;模拟电子技术基础;五、分析方法 1.电路课程：严密推导、精确计算;六、本课程的能力要求;解题要求： （1）抄题、抄图（描图）； （2）各电压、电流要标明位置、方向、极性； （3）按公式——代数——结果(含单位)三步骤完成。; 电子技术的发展从电子管→半导体管→集成电路;第一只晶体管的发明者 （by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab）; 半导体－－导电性介于导体与绝缘体之间的物质。;2. 本征半导体的结构;两种载流子; 1. N型半导体;2. P型半导体;说明：; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。; 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。; 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;PN结的伏安特性; 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。; PN结的电容效应;1.2.5 二极管;结面积小，结电容小 允许的电流小 工作频率高 用于高频检波等;材料;从二极管的伏安特性可以反映出：  a. 单向导电性;2. 二极管的主要参数;rd可以利用PN结的电流方程： ;1.2.6 稳压二极管;;1. 二极管伏安特性折线化; 2. 二极管限幅电路;①E=0（理想二极管） Ui0V时，二极管导通，U0≈0V; Ui0V时，二极管截止，U0=Ui。 限幅电平为0V。 ;②0 EUm Ui+E，二极管截止，UO=Ui; Ui+E，二极管导通，UO=E。 限幅电平为+E。 ;③-UmE0 ;;二极管门电路;图 1-23 “与”门 ;已知：稳压管UZ=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，输入UI=12V，限流R=200 ?。问:若RL变化范围1.5 k? ~4 k? ,是否还能稳压？;多子浓度高;共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。;1. 三极管放大的外部条件;判断三极管能否放大？; 扩散运动形成发射极电流IE??复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。;穿透电流;三极管的电流分配关系;4. 三极管的电流放大系数;为什么UCE增大曲线右移？;2. 输出特性;2. 输出特性;2. 放大区：;3. 饱和区：; 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO; 温度升高，ICEO、 ? 增大，且输入特性左移，导致集电极电流增大。;1.3.7 二、三极管的命名 ;例1、某电路中几只NPN型晶体管三个极的直流电位如下表，各晶体管b-e间开启电压Uon约为。说明管子工作状态。;例2、在一个单管放大电路中，电源电压30V，已知三只管子的参数如下表，请选用一只管子，并说明理由。;例3、放大电路中，测得三极管三个电极电压U1、U2、U3分别为下列数值，判断：①、e、b、c ； ②、硅管、锗管； ③、NPN型、PNP型。;例4、由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。