模拟 半导体二极管及其应用.pptx

1 模拟 半导体二极管及其应用 2 化学元素周期表 第1页/共50页 3 钻石结构 从本征Si结构上分析其导电性硅晶体的立体结构 共价键（Covalence Bond） 第2页/共50页 4 在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强， 经过研究发现在热力学温度零度（即T = 0 K ）时， 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚， 晶体中不存在能够导电的载流子， 半导体不能导电，如同绝缘体一样。 第3页/共50页 5 图本征半导体平面结构示意图 第4页/共50页 6 本征激发和复合的过程 第5页/共50页 7 本征半导体的激发与复合 激发：半导体受外界因素(例如温度、光照、电场等)的影响， 产生“电子—空穴对”的过程。 复合：电子空穴对消失的过程。 特点： a. 激发形成两种载流子：自由电子与空穴。 b. 自由电子数 = 空穴数。 c. 两种载流子参加导电。 d. 导电性能与激发因素(温度、光照）有很大关系。 第6页/共50页 8 图型半导体 二、杂质半导体导电能力的可控性 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,得到杂质半导体。 N型半导体 在本征半导体中掺入5价P元素，形成N型半导体。 特点：自由电子的数目远远大于空穴的数目，称为多子；空穴称为少子。 第7页/共50页 9 在本征半导体中掺入3价B元素，形成P型半导体。 特点：空穴的数目远远大于自由电子的数目，称为多子；自由电子称为少子。 P型半导体 图型半导体 第8页/共50页 10 在杂质半导体中： 杂质浓度不应破坏半导体的晶体结构， 多数载流子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度； 而少数载流子的浓度主要取决于温度。 杂质半导体的优点： 掺入不同性质、不同浓度的杂质，可控制它的导电性能。另外光照、温度等外界因素也可以改变其导电性能。这就是为什么选半导体作为制作晶体管材料的原因。 总结 第9页/共50页 11 硅多用于制造敏感元件，例如光敏电阻、热敏电阻等，可以把非电物理量（例如光照强度、温度）转换为电量（例如电阻、电压、电流）。 光敏电阻的应用举例—傻瓜相机 第10页/共50页 12 小 结 本讲主要介绍了下列半导体的基本概念： 本征半导体 激发、复合、空穴、载流子 杂质半导体 P型半导体和N型半导体 第11页/共50页 13 PN结及其单向导电性 一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 第12页/共50页 14 一、 PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差  多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区  空间电荷区形成内电场  内电场促使少子漂移  内电场阻止多子扩散 第13页/共50页 15 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型 半导体结合面， 离子薄层形成的 空间电荷区称为 PN结。在空间电 荷区，由于缺少 多子，所以也称 耗尽层。 图01.06 PN结的形成过程 （动画1-1） PN 结形成 的过程可参阅右图 第14页/共50页 16 二、 PN结的单向导电性 如果外加电压使PN结中： P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压， 简称反偏。 第15页/共50页 17 １、 PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结导通呈现低阻性。 PN结加正向电压时的导电情况如下图所示。 （动画1-2） 第16页/共50页 18 ２、 PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强， 扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的 作用下形成的漂移电流大 于扩散电流，可忽略扩散 电流，PN结