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1 清华大学数电门电路 2 根据制造工艺不同可分为单极型和双极型两大类。 门电路中晶体管均工作在开关状态。 其中包括介绍晶体管和场效应管的开关特性。 本章介绍两类门电路。 要点：各种门电路的工作原理，只要求一般掌握； 而各种门电路的外部特性和应用是要求重点。 当代门电路（所有数字电路）均已集成化。 【题3.12】，【题3.16】 ，【题3.18】， 【题3.19】，【题3.20】，【题3.29】 第1页/共72页 3 第二节 半导体二极管门电路 一、二极管的开关特性 1.开关电路举例 2.静态特性 伏安特性 等效电路 在数字电路中重点在判断二极管开关状态，因此必须把特性曲线简化。（见右侧电路图） 有三种简化方法： 输入信号慢变化时的特性。 第2页/共72页 4 第三种 第二种 第一种 第3页/共72页 5 3.动态特性 当外加电压突然由正向变为反向时，二极管会短时间导通。 这段时间用tre表示，称为反向恢复时间。 输入信号快变化时的特性。 它是由于二极管正向导通时PN结两侧的多数载流子扩散到对方形成电荷存储引起的。 第4页/共72页 6 由于二极管门电路有严重的缺点，在集成电路中并不使用，但可帮助理解集成门的工作原理。 二、二极管与门 设：VCC=5V, VIH=3V, VIL=0V VA=VB=0V D1,D2导通，VY VA=VB=3V D1,D2导通，VY VA=3V,VB=0V D2导通，D1截止，VY VA=0V,VB=3V D1导通，D2截止，VY VA VB VY 0 0 0.7 0 3 0.7 3 0 0.7 3 3 3.7 A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 缺点：1.电平偏移； 2.负载能力差。 第5页/共72页 7 三、二极管或门 A B Y 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 VA VB VY 0 0 0 0 3 2.3 3 0 2.3 3 3 2.3 D1,D2截止 D1,D2导通 D1截止,D2导通 D1导通,D2截止 第6页/共72页 8 一.MOS管的开关特性 管的工作原理 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 称为：金属—氧化物—半导体场效应管或绝缘栅场效应管 导电沟道(反型层) 源极 Source 漏极 Drain 栅极 Gate 第三节 CMOS门电路 第7页/共72页 9 输出特性 2.输入输出特性 输入特性可不讨论。 第8页/共72页 10 恒流区 相应曲线称为转移特性。 空间电荷区 截止区 VDS=0V出现沟道。 VDS增加，则沟道“倾斜”（阻值增加）。 VGD=VGS(th)时，沟道“夹断”。 VDS再增加时，夹断点向源区移动，但iD不变。 可变电阻区 夹断点 VGS(th)=2V 同理可求出栅源电压为4V和3V时的夹断点。 固定电阻 夹断 它也有三个工作区 第9页/共72页 11 管的基本开关电路 MOS管工作在可变电阻区。 回下页 注意：VDD必须为正。 第10页/共72页 12 静态特性—三个工作区。 等效电路如图，其中CI为栅极输入电容。约为几皮法。 动态特性—延迟作用（书上没有）。 由于是单极型器件，无电荷存储效应。动态情况下，主要是输入电容和负载电容起作用，使漏极电流和漏源电压都滞后于输入电压的变化。其延迟时间比双极型三极管还要长。 可变电阻区： 截止区： 恒流区： 管的开关特性及等效电路 电路图 第11页/共72页 13 管的四种类型 (1)N沟道增强型 (2)P沟道增强型 (3)N沟道耗尽型 (4)P沟道耗尽型 开启电压 夹断电压 P沟道增强型： 第12页/共72页 14 请参阅79页，表 第13页/共72页 15 1961年美国德克萨斯仪器公司首先制成集成电路。英文Integrated Circuit,简称IC。 集成电路的优点：体积小、重量轻、可靠性高，功耗低。目前单个集成电路上已能作出数千万个三极管，而其面积只有数十平方毫米。 按集成度分类： 小规模集成电路SSI: Small Scale Integration; 中规模集成电路MSI: Medium Scale Integration; 大规模集成电路LSI: Large Scale Integration; 超大规模集成电路VLSI: Very Large Scale Integration, 按制造工艺分类： 双极型集成电路； 单极型集成电路； 我们介绍TTL电路。 我们介绍CMOS电路。