电子陶瓷总复习.pdfVIP

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电子陶瓷总复习 第一章 陶瓷的定义:用粘土以外的其他原料,依陶瓷制造的工艺方法制成的制品 陶瓷的发展大致经历了陶器、瓷器、现代先进陶瓷、纳米陶瓷 4 个发展阶 段。 陶器 ( 从公元前 24000 年开始 ) 瓷器 ( 从公元 250 年开始 ) 现代先进陶瓷 ( 从 20 世纪 40 年代开始 ) 纳米陶瓷 ( 从 20 世纪 90 年代开始 ) 1、陶器阶段用黏土制成毛坯,经过高温 (~1000 °C) 烧结而成,是原始人类 制成的最重要的物品之一 2、瓷器阶段发明了釉、发现并使用高铝质瓷土、高温技术的发展( 1200 °C ) 3、现代先进陶瓷阶段原料纯化——从天然矿物原料为主发展到高纯人工合成 原料为主 4 、纳米陶瓷阶段原料纳米化、陶瓷内部晶粒纳米化、性能高度优化、正在深 入研究,预期将引起重要变化。 第二章 电子陶瓷的性质与其结构有密切的关系。结构可以分为: Electronic Structure ;电子结构 Atomic Structure ;原子结构 Microscopic Structure ;显微结构 Macroscopic structure 宏观结构 材料科学与工程是研究材料组成、结构、生产过程、材料性能与使用性能以 及他们之间关系的学科。因而把组成与结构、合成与生产过程、性质以及使用效能 称之为材料科学与工程的四个基本要素。 上述四个要素是基本的,缺一不可的,对材料科学与工程的发展来说,这四 个要素必须是整体的。材料的四要素反映了材料科学与工程研究的共性问题,其中 合成和加工、使用性能是两个普遍的关键要素,这是在这四个要素上,各种材料相 互借鉴、相互补充、相互渗透。 混合键实际材料中,特别是陶瓷、半导体等往往是由离子键和共价键混合形 成的键结。 确定 AB组成的化合物中共价键的比例 p 可由下式决定: p=exp[-(Ea-Eb)2/4)] Ea,Eb 分别为 A,B 元素的负电性 (electronegativity) 泡令原则 1) 负离子配位多面体原则( Pauling ’s 1st Rule ) 在正离子周围形成负离子配位多面体;正、负离子间距与离子半径之和有 关;配位数与正、负离子的半径之比有关。负离子组成多面体,正离子占据间隙位 置 2) 电价原则( Pauling ’s 2nd Rule ) Z+、Z- 为正、负离子的电价 CN+ 、CN-为正、负离子的配位数 3) 共用原则( Pauling ’s 3rd Rul e ) 当配位体共用顶点、棱或面时,稳定性会降低。正离子的电价越高、配位数 越低,此效应越明显。 4) 共顶点原则( Pauling ’s 4th Rule ) 含有一种以上的正离子晶体中,电价大、配位数小的正离子周围的负离子配 位多面体总趋于共顶点结合 5) 类型原则( Pauling ’s 5th Rule ) 晶体中的配位体的类型总是尽可能地最少 第三章 相变是指在温度或压强等外界条件发生变化时 : (1)物质的晶体结构发生了变化; (2)物质的化学成分发生不连续变化,如固溶体的脱溶分解; (3)某些反映长程序物理性质的出现或消失 二级相变二级相变时热力学量(自由能)的改变是连续的,体积、熵等热力 学函数没有突变,但它们的一级微商有突变,材料的等压热容( Cp)、热膨胀系数 (α)和压缩系数(κ)有突变。或者说两相的自由能对温度或压力的一阶导数相 等,而二阶导数不相等。 二级及以上相变统称连续相变。 κ 和

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