电化学阻抗谱基础PPT课件.ppt

DOS the energetic distribution of the density of states the formal potential of the oxygen evolution reaction This result suggests an equilibration of trap state energy and hole accepting species in the electrolyte. DOS curves under 1 sun illumination vs. the RHE reference. Water oxidation at hematite photoelectrodes: the role of surface states the competition between hole transfer and recombination PCCP, 2011, 13, 5264 JACS, 2012, in press (1) the charge transfer reaction to oxidize water occurs from these surface states rather than from holes from the valence band; (2) the photocurrent onset appears only after holes start to accumulate in these surface sites. 阻抗谱研究的注意事项 （1）必须对相关体系的光电催化机理有一定认识，并且有较好的半导体电化学理论基础； （2）不同体系的阻抗分析不同，不可套用； （3）数据的可比性要求严格，定量分析困难，尽可能使研究对象简单; （4）等效电路不唯一，需要与其它表征手段联用。 阻抗谱研究的专家 Juan Bisquert Professor of Applied Physics at Universitat Jaume I de Castello′ and leads the Photovoltaic and Optoelectronic Devices Group at the Physics Department. Professor Laurence Peter Department of Chemistry, University of Bath semiconductor photoelectrochemistry and dye-sensitized solar cells. Summary EIS is a powerful tool for identifying electronic and ionic transport processes in PECs. EIS is an excellent tool to investigate different configurations of electrodes in order to determine the charge dynamics 简单电路的基本性质 正弦电势信号： 正弦电流信号： ?--角频率 ?--相位角 accumulation layer depletion layer inversion layer flat band potential 阻纳是一个随角频率?变化的矢量，通常用角频率?（或一般频率f）的复变函数来表示，即： 若G为阻抗，则有：。。。其中Z’为阻抗的实部，Z’’为阻抗的虚部。 因为阻抗为矢量，在坐标体系上表示一个矢量时，通常以实部为横轴，虚部位纵轴，如这个图所示。从原点到某一点（z‘，z’’）处的矢量长度即为阻抗Z的模值，角度?为阻抗的相位角。 电化学阻抗技术就是测定不同频率?的扰动信号X和响应信号Y的比值，得到不同频率下阻抗的实部、虚部、模值和相位角，然后将这些量绘制成各种形式的曲线，就得到电化学阻抗谱，常用的电化学阻抗谱有两种：一种叫做奈奎斯特图（Nyquist plot）， 一种叫做波特图（Bode plot）。 Nyquist plot是以阻抗的实部为横轴，虚部的负数为纵轴，图中的每个点代表不同的频率，左侧的频率高，成为高频区，右侧的频率低，成为低频区。 Bode plot图包括两条曲线，它们的横坐标都是频率的对数，纵坐标一个是阻抗模值的对数，另一个是阻抗的相位角。利用Nyquist plot 或者是Bode plot就可以对电化学系统的阻抗进行分析，进而获得有用的电化学信息。 利用电化学阻抗谱研究一个电化学系统时，它的基本思路是将电化学系统看作是一个等效电路，关于电化学系统等效电路的