DDR2内存和DDR3内存的区别方法(图解)定义.pdfVIP

图片： 图片： 图片： [i=s] 本帖最后由 思番远航 于 2010-1-10 09:44 编辑 DDR2 内存和 DDR3 内存的区别方法 ( 图解 ) DDR3 在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是 4GB 这个容量， 4GB 是32 位操 作系统的执行上限（不考虑 PAE 等等的内存映像模式，因这些 32位元元延伸模式只是过渡 方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过 4GB 的时候， 64位 C PU 与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是 DDR3 内存的普及时期。 DDR3 UB DIM M 2007 进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到 2010 年。 DDR3 内存相对于 DDR2 内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。 DDR3 接触针脚数目同 D DR2 皆为 240pin 。但是防呆的缺口位置不同。 一、与 DDR2 相比 DDR3 具有的优点（桌上 型 unbuffered DIMM ）： 1.速度更快： prefetch buffer 宽度从 4bit 提升到 8bit ，核心同频率下数据传输量将会是 DDR 2 的两倍。 2. 更省电： DDR3 Module 电压从 DDR2 的 1.8V 降低到 1.5V ，同频率下比 DDR2 更省电， 搭 配 SRT （Self-Refresh Temperature ）功能，内部增加温度 senser ，可依温度动态控制更 新率（ RASR ，Partial Array Self-Refresh 功能），达到省电目的。 3. 容量更大：更多的 Bank 数量，依照 JEDEC 标准， DDR2 应可出到单位元元 4Gb 的容量 （亦即单条模块可到 8GB ），但目前许多 DRAM 厂商的规划， DDR2 生产可能会跳过这个 4 Gb 单位元元容量， 也就是说届时单条 DDR2 的 DRAM 模块， 容量最大可能只会到 4GB 。而 DDR3 模块容量将从 1GB 起跳，目前规划单条模块到 16GB 也没问题（注意：这里指的是零 售组装市场专用的 unbuffered DIMM 而言， server 用的 FB 与 Registered 不在此限） 。 二、 DDR2 与 DDR3 内存的特性区别： 1、逻辑 Bank 数量 DDR2 SDRAM 中有 4Bank 和 8Bank 的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。 而 DDR3 很可能将从 2Gb 容量起步，因此起始的逻辑 Bank 就是 8 个，另外还为未来的 16个 逻辑 Bank 做好了准备。 2 、封装（ Packages ） 由于 DDR3 新增了一些功能，在引脚方面会有所增加， 8bit 芯片采用 78球 FBGA 封装， 16 bit 芯片采用 96 球 FBGA 封装，而 DDR2 则有 60/68/84 球 FBGA 封装三种规格。并且 DDR3 必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3 、突发长度（ BL ，Burst Length ） 由于 DDR3 的预取为 8bit ，所以突发传输周期（ BL ，Burst Length ）也固定为 8 ，而对于 D DR2 和早期的 DDR 架构的系统， BL=4 也是常用的， DDR3 为此增加了一个 4-bit Burst Ch op （突发突变）模式，即由一个 BL=4 的读取操作加上一个 BL=4 的写入操作来合成一个 BL =8 的数据突发传输，