纳米科学与技术课件：3-4纳米材料的制备 技术和原理.pdfVIP

第三章：纳米材料的制备 (1)纳米器件的制备工艺 技术和原理 (A)光刻法 photolithography 纳米结构和器件 (B) 聚焦离子束（FIB） Focused ion beam 1 2 (A)光刻法photolithography 光刻法是制备半导体元件的重要方法，广泛 应用于集成电路制造 基质一般是硅晶体的芯片，也可以是其他半 导体的芯片。 集成电路芯片的显微照片 最新工艺尺寸：45纳米 沟道长度为0.15微米的晶 光刻技术是制备纳米结构和器件的主要方法 体管 和重要的步骤 3 栅长为90纳米的栅图形 4 照片 芯片制造过程 —制造业— 常规光刻工艺 掩模板 掩模板 曝光 显影 蚀刻或沉积 5 6 1 • 光刻胶 掩模板： –光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏 在镀铬玻璃利用激光 化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而 或其他手段在玻璃上 成的胶状液体 刻蚀出芯片的图案 –光 刻 胶 受 到 特 定 波 长 光 线 的 作 用 后 或使用其他手段制造 （曝光），导致其化学结构发生变化， 出特定图案 如大分子被破坏成小分子 如电子束刻蚀等 –曝光后光刻胶能溶解在某种特定溶液 中，未曝光部分不溶解 7 8 曝光- 紫外光照透过掩模空隙的紫外光改变光刻胶成分 1.旋转涂膜仪将光 刻胶涂到硅片上 2.在较低的温度下 烘烤，蒸发溶剂 和固化光刻胶 厚度：5-10nm 感光与未感光的光刻胶对溶剂的不同溶解度， 就可以进行