半导体物理(微电子器件基础 )知识点总结.docxVIP

— PAGE \* Arabic 1 — 半导体物理(微电子器件基础 )知识点总结 第一章  ●能带论：单电子近似法研究晶体中电子状态的理论  ●金刚石结构：两个面心立方按体对角线平移四分之一闪锌矿  ●纤锌矿：两类原子各自组成的六方排列的双原子层堆积而成（001）面ABAB顺序堆积●禁带宽度：导带底与价带顶之间的距离脱离共价键所需最低能量  ●本征激发：价带电子激发成倒带电子的过程  ●有效质量（意义）：概括了半导体内的势场作用，使解决半导体内电子在外力作用下运  动规律时，可以不涉及半导体内部势场作用  ●空穴：价带中空着的状态看成是带正电的粒子  ●准连续能级：由于N很大，每个能带的能级基本上可以看成是连续的  ●重空穴带：有效质量较大的空穴组成的价带  ●窄禁带半导体：原子序数较高的化合物  ●导带：电子部分占满的能带，电子可以吸收能量跃迁到未被占据的能级  ●价带：被价电子占满的满带  ●满带：电子占满能级  ●半导体合金：IV族元素任意比例熔合  ●能谷：导带极小值  ●本征半导体：完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体  ●应变半导体：经过赝晶生长生成的半导体  ●赝晶生长：晶格失配通过合金层的应变得到补偿或调节，获得无界面失配位错的合金层  的生长模式  ●直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置  ●间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置  ●允带：允许电子能量存在的能量范围.  ●同质多象体：一种物质能以两种或两种以上不同的晶体结构存在的现象  第二章  ●替位杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。  ●间隙杂质：杂质原子位于晶格的间隙位置。  ●杂质浓度：单位体积中的杂质原子数。  ●施主（N型）杂质：释放束缚电子，并成为不可动正电荷中心的杂质。  ●受主（P型）杂质：释放束缚空穴，并成为不可动负电荷中心的杂质。  ● 杂质电离：束缚电子被释放的过程（N ）、束缚空穴被释放的过程（P ）。  ● 杂质束缚态：杂质未电离时的中性状态。  ● 杂质电离能：杂质电离所需的最小能量：  ● 浅能级杂质：施（受）主能级很接近导（价）带底（顶）。  ● 深能级杂质：施（受）主能级远离导（价）带底（顶）。  ● 杂质补偿：当半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，施主杂质和受主杂质之间的互  相抵消作用。  ● 多能级杂质：杂质多次电离，每次电离相应一个能级，称为多能级杂质。  ● 双性杂质：同种杂质在同一半导体晶格位置上，既可释放电子呈施主  ● 性，又可接受电子呈受主性。  ● 位错：晶体沿某条线原子排列偏离周期排列，包括刃位错和螺位错。  ● 等电子杂质：杂质原子替代同族原子。  ● 等电子陷阱：等电子杂质形成的带电中心。   第三章  ● 状态密度:就是在能带中能量E 附近每单位间隔内的量子态数。  ● 费米分布：在热平衡状态下，电子按能量大小具有一定的统计分布规律，能量为E  的一个量子态被一个电子占据时的概率满足公式f （E ）   ● 费米能级：Ef 为一个类似于积分常数的一个待定常数，称为费米能级，Ef 是系统的  化学势。  ● 波尔兹曼分布：若E-Efk0T 时，导带电子统计分布从服从费米分布退化为服从玻  耳兹曼分布，一个量子态被一个电子占据时的概率满足公式（自己填上）。。。。  ● 杂质电离度：已电离的杂质分子占总的杂质分子的百分比。  ● 少子、少子浓度：如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，  则称它为少子。多子浓度是指多子占总的载流子数的百分。  ● 多子、多子浓度：半导体材料中某种载流子占大多数，导电中起到主要作用，则称  它为多子。多子浓度是指少子占总的载流子数的百分。  ● 热平衡半导体：是指半导体的电子系统有统一的费米能级，电子和空穴的激发与复  合达到了动态平衡，其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡的。 ● 热平衡判据： ● 非简并半导体：载流子遵从经典的波尔兹曼统计分布的半导体就是非简并半导体 ● 饱和区（强电离区）：当温度升高至大部分杂质都可以电离时称为强电离，满足这  011F E E k T e