10平坦化要点分析和总结.pdfVIP

平坦化 教学目的： 1.了解平坦化技术的分类 2.熟悉 CMP 的机理、设备和工艺控制 3．熟悉 CMP 的质量控制 教学重点及难点： 平坦化技术的作用、 CMP 工艺及质量控制 教学过程： 10.1 概述 1)平滑处理：平坦化后使台阶圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著减小，如图 10-3b 所示。 2)部分平坦化：平坦化后使台阶圆滑，且台阶高度局部减小，如图 10-3c 所示。 3)局部平坦化：使硅片上的局部区域达到平坦化。 4)全局平坦化： 使整个硅片表面总的台阶高度显著减小， 使整个硅片表面平坦化， 如图 10-3e 所示。 10.2 传统平坦化技术 10.2.1 反刻 反刻平坦化是在起伏的硅片表面旋涂一层厚的介质材料或其他材料（如光刻胶或 SOG），这 层材料可以填充空洞和表面的低处， 将作为平坦化的牺牲层， 如图 10?4a 所示。 然后用干法 刻蚀技术进行刻蚀， 利用高处刻蚀速率快， 低处刻蚀速率慢来实现平坦化。 当被刻蚀的介质 层达到希望的厚度时刻蚀停止， 这样把起伏的表面变得相对平滑， 实现了局部平坦化， 如图 10?4b 所示。 10.2 传统平坦化技术 10.2.2 玻璃回流 玻璃回流是对作为层间介质的硼磷硅玻璃 （BPSG ）或其他的掺杂氧化硅膜层进行加热升温， 使玻璃膜层发生流动来实现平坦化的技术，如图 10?5 所示。一般， BPSG 在氮气环境中， 在 850℃加热 30min 就发生流动， 这样可使台阶处变成斜坡。 玻璃回流不能满足深亚微米 IC 的平坦化要求。 10.2.3 旋涂玻璃法 旋涂玻璃法 (Spin On Glass) 主要是在起伏的硅片表面旋涂含有溶剂的液体材料，这样表面低 处和缝隙将被填充， 然后进行烘烤固化， 使溶剂蒸发，即可获得表面形貌的平滑效果， 如图 10?6 所示。 10.3 化学机械平坦化 10.3.1 CMP 优点和缺点 1.优点 1) 能获得全局平坦化。 2) 对于各种各样的硅片表面都能平坦化。 3) 可对多层材料进行平坦化。 4) 减小严重的表面起伏，使层间介质和金属层平坦，可以实现更小的设计图形，更多层的 金属互连，提高电路的可靠性、速度和良品率。 5) 解决了铜布线难以刻蚀良好图形的问题。 6) 通过减薄表层材料，可以去掉表面缺陷。 7) CMP 是湿法研磨，不使用干法刻蚀中常用的危险气体。 8) CMP 可以实现设备自动化、大批量生产、高可靠性和关键参数控制。 2.缺点 1) 影响平坦化质量的工艺因素很多且不易控制。 2) CMP 进行平坦化的同时也会引入新的缺陷。 3) 需要配套的设备、材料、工艺控制技术，这是一个需要开发、提高的系统工程。 4) 设备、技术、耗材、维护等十分昂贵。 10.3.2 CMP 机理 CMP 工作原理是将硅片固定在抛光头的最下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转 的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上， 由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液 在硅片表面和抛光垫之间流动， 然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下， 均匀分布其 上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。 研磨液中的化学成分与硅片表面材料产 生化学反应， 将不溶的物质转化为易溶物质， 或者将硬度高的物质进行软化， 然后通过磨粒 的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除， 溶入流动的液体中带走