复旦固体物理讲义-18能带计算方法简介.docxVIP

— PAGE \* Arabic 1 — 复旦固体物理讲义-18能带计算方法简介 上讲回顾  ?金属、绝缘体和半导体  *电子如何填充能带→可用原胞内电子填充判断？  *满带、空带、禁带。满带不导电！  ?结构因子与布里渊边界能级简并的分裂*物理原因同X射线衍射的消光现象→原胞内等价原  子波函数在布里渊区边界反射相干  ?三维空晶格模型的能带结构  *为何发生能带重叠？能带简约图如何得到？由于3D  布里渊区的复杂结构，与1D不同，高布里渊区能带  E(k+K)并不一定比低布里渊区能带高，例子  *如何给出能带结构？沿B区边界高对称轴，因为能  带在布里渊区边界上简并被打开，发生畸变。可反  映能带特征。特别对金属，除此外与自由电子类似8/~jgche/能带计算方法简介1  本讲要解决的问题及所涉及的相关概念?如何从3D空晶格模型过渡到典型的金属能带?  *布里渊区边界简并是否打开？  ?典型的半导体能带结构?  *半导体能带特征  *直接带隙、间接带隙、直接跃迁、带间跃迁  ?能带结构如何得到？→计算→如何计算能带?  #对相互作用的合理地截断与近似  #对基函数的合理地取舍与近似  ?两种主要的能带结构计算方法物理思想*赝势方法  *紧束缚方法  8/~jgche/能带计算方法简介2  第18讲、能带计算方法简介  1.空晶格能带过渡到典型的金属能带  2.半导体能带结构  3.能带计算方法的物理思想  4.近自由电子近似——平面波方法  5.举例——只取两个平面波  6.平面波方法评论  7.赝势  8/~jgche/能带计算方法简介3  1、空晶格能带过渡到金属能带8/~jgche/能带计算方法简介4  5  如何考虑问题？  ?布里渊区边界空晶格模型能带简并  *近自由电子布里渊区边界能带分裂  ?空晶格模型能带  *能带填充？  8/~jgche/能带计算方法简介6   free electron band structure in fcc  G X W L G K 能带计算方法简介8  2、半导体能带结构  ?半导体能带存在禁带（能隙）  ?价带和导带  *禁带分隔价带和导带：禁带以下价带，禁带以上导  带  *电子最高占据的能带，电子最低的未占据能带  *费米能级？  ?费米能级更多地是针对金属。在半导体中非本征半导体可以定义费米能级。而对半导体能带结构通常只关心本征半导体的价带顶(VBM)和导带底(CBM)——与带间跃迁有关  *价带顶和导带底概念对应化学中分子的最高占据分  子轨道和最低未占据分子轨道(HOMO和LUMO)  8/~jgche/能带计算方法简介9  10    8/~jgche/能带计算方法简介11  ?GaAs  *直接能隙  *与Si 的能带不同之  处主要在价带s 带  和p 带之间有能  隙！全在边界上，  即  X →W →K  ？