溶胶凝胶法制备块体材料.pptxVIP

1; ;;一、溶胶-凝胶法制备SiO2玻璃 ;该过程发生的主要反应如下所示。;;2.凝胶化转变的影响因素 ;（2）TEOS浓度对凝胶化转变时间的影响;(三)润湿凝胶体的干燥;图5-7干燥第一阶段凝胶表面的结构示意图 ;2.凝胶体中的气孔模型; 3.特殊的干燥工艺 超临界流体干燥 冷冻干燥技术 ;图5-9 硅凝胶的差热分析曲线;2.凝胶体的玻璃化;（五）玻璃凝胶块制备的开裂问题 1.开裂的影响因素 （1）溶胶的配比;表5-1 不同硅溶胶配比及其开裂情况;（2）干燥制度的影响 1）采用传统的干燥方法时，干燥速度太快引起开裂。 2）必须注意： a.在干燥过程中，慢升温阶梯式升温的长时间干燥工艺。 b. 在干燥过程中还要适当保持环境的湿度，采用先高湿后低湿的湿度环境条件。;2.凝胶体开裂的防止及无开裂凝胶块玻璃的制备方法 ;（5）可采取有效的干燥方法。 例如超临界条件干燥法。使得毛细管力所产生的破坏力为零。 此外，还可以采用先冻结凝胶体再气化干燥的方法（冷冻干燥）。 （6）通过增强凝胶颗粒骨架的连接作用，干燥过程中采用非水的溶剂以及进行凝胶细孔表面疏水处理等均可在一定程度上减少开裂。;一些无开裂SiO2玻璃凝胶块的制备方法： （1）采用超临界条件干燥法； （2）采用硅的醇盐为主要原料； （3）采用TEOS和氧化硅纳米颗粒为主要原料； （4）注意调整加水分解和缩合条件； （5）使用干燥控制剂（DCCA，Drying Control Chemical Additive）； （6）使用高浓度的盐酸起始溶液。;二、溶胶-凝胶法制备SiO2玻璃特点 ;③溶胶-凝胶工艺能够制备组分可控制的材料。 例如可以在溶胶-凝胶玻璃中加入添加剂，从而制成可准确确定其吸收光谱，且只有特殊波长的光才能透过的玻璃。 采用溶胶-凝胶法可以获得99%的理论密度。而处理温度仅为1150~1200℃，所制成的材料即使在1400℃高温下，其抗挠强度为700MPa。 ④便于制作。 溶胶-凝胶玻璃往往能铸造成接近产品的最后形状，故而能避免或大大减少机加工工序，这对玻璃制品来讲是很重要的，因为它们很难用机械加工。即使不能一下子浇铸成最终的产品形状，也可以在致密化和热解步骤之前，将凝胶进行研??和抛光。在这种情况下，因凝胶非常软，可以明显降低机加工成本。这样制作光学部件的优点是，由磨料造成的划痕一般会在致密化过程中自行消失。;三、溶胶-凝胶法制备其它氧化物块体及玻璃陶瓷材料 ;; 1h 2h 将干凝胶放入马弗炉中从室温 → 300℃保持4h → 2h 2h 600℃保持6h → 800℃保持2h → 830℃保持6h后得到玻璃块体。;（二）Y-La-Si-O-N系统氧氮玻璃的制备;;（三）Ag/SiO2多孔玻璃的制备 ;表5-4 采用溶胶-凝胶法制备的Ag/SiO2玻璃中Ag的晶粒尺寸(nm);（四）溶胶-凝胶法制备含纳米CdS的玻璃;（五）溶胶-凝胶法制备半导体微晶玻璃 ;1、溶胶-凝胶法制备半导体微晶玻璃工艺过程主要包括： （1）溶胶制备；（2）半导体微晶的引人；(3)进行溶胶成型和干燥以制取凝胶；(4)干凝胶的热处理以制备半导体微晶玻璃。;3.半导体微晶的引人方法 因半导体化合物性质不同而不同，分为反应法、胶体混合法、溶液法。 （1）反应法：是首先用金属醇盐和含有半导体微晶中的阳离子的盐(如Cd(NO3)2)分别溶于有机溶剂，经混合、干燥制备出含有半导体微晶中砂阳离子的氧化物(如CdO)的多孔质的凝胶，凝胶热处理时与气体(如H2S)反应而在玻璃中形成半导体微晶(CdS)的方法，该方法适于制备含有易挥发组分的半导体微晶玻璃。;（2）胶体混合法：就是通过反应预先制备含半导体化合物的胶体，然后混入到硅的醇盐溶液中而制备出半导体微晶玻璃。 （3）溶液法：就是在金属醇盐加水分解的途中混人含有半导体化合物的溶液，再通过凝胶化、热处理而制得。 这三种方法都有各自不同的适应范围，溶液法相对来说，制备工艺更简单、试验周期短。;4. 制取较大尺寸的玻璃块体的方法 （1）是向溶胶中引人能控制凝胶干燥速度的化学试剂DCCA(如甲酰胺、丙三醇、草酸等)，以有效地防止凝胶块的开裂； （2）是严格控制热处理的升温速率。 在较高温度的热处理之前，可先将凝胶置于脱去残余水的温度以下作较长时间的烘干处理，总之热处理方案要严格按差热分析结果制定。 5.半导体微