2022年高考物理复习45 空间电磁组合场问题交变电磁组合场问题（解析版）.docxVIP

高三物理复习专题专练（电磁学部分） 专题45 空间电磁组合场问题、交变电磁组合场问题 专练目标 专练内容 目标1 空间电磁组合场问题（1T—11T） 目标2 交变电磁组合场问题（12T—21T） 【典例专练】 一、空间电磁组合场问题 1．在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图，是离子注入工作原理示意图，离子经电场加速后沿水平方向进入速度选择器，然后通过磁分析器，选择出特定比荷的离子，经偏转系统后注入处在水平面上的晶圆（硅片）。速度选择器、磁分析器和偏转系统中匀强磁场的磁感应强度大小均为B。方向均垂直纸向外；速度选择器和偏转系统中匀强电场的电场强度大小均为E，方向分别为竖直向上和直纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆弧，其两端中心位置M和N处各有一小孔；偏转系统中电场和磁场的分布区域是一棱长为L的正方体，晶圆放置在偏转系统底面处。当偏转系统不加电场和磁场时，离子恰好竖直注入到晶圆上的O点，O点也是偏转系统底面的中心。以O点为原点建立xOy坐标系，x轴垂纸面向外。整个系统于真空中，不计离子重力，经过偏转系统直接打在晶圆上的离子偏转的角度都很小。已知当很小时，满足：， 。 （1）求离子通过速度选择器后的速度大小v及磁分析器选择出的离子的比荷； （2）当偏转系统仅加电场时，求离子注入到晶圆上的位置坐标（x1，y1）； （3）当偏转系统仅加磁场时，设离子注入到晶圆上的位置坐标为（x2，y2），请利用题设条件证明：y2=x1； （4）当偏转系统同时加上电场和磁场时，求离子注入到品圆上的位置坐标（x3，y3），并简要说明理由。 【解析】(1)设离子的质量为m，电量为q，离子通过速度选择器离子过程中，有qvB=qE 解得离子在磁分析器内做匀速圆周运动，设半径为R，由洛伦兹力提供向心力有从磁分析器中心孔N射出离子的运动半径为解得 (2)当偏转系统仅加电场时，则有L=vt离子在x方向偏转的距离为解得，所以离子注入到晶圆上的位置坐标为（，0） (3)当偏转系统仅加磁场时，设离子在偏转系统做圆周运动的轨迹的圆心角为α，有 ；解得即可证明； (4)当偏转系统同时加上电场和磁场时，离子在偏转系统内的运动可视为沿x轴和y轴两个分运动的合运动，由于分运动具有独立性。所以离子注入到晶圆上的位置坐标为（，） 2．如图所示，两种同位素的原子核M、N从容器A下方的小孔S1不断飘入S1与S2间的加速电场中，其初速度几乎为零。然后经过小孔S3恰好沿圆弧通过静电分析器，从小孔S4离开后，由正方体右侧面中心位置处小孔O2（即图中坐标系原点）水平向左沿z轴正方向垂直右侧面进入正方体空腔内。已知静电分析器内有均匀辐向分布的电场，粒子运动轨迹处电场强度大小为E，圆弧半径和正方体边长均为L；M、N的质量分别为m、3m，带电量均为q，重力不计；不考虑粒子之间的相互作用，打在正方体腔壁上的粒子被全部吸收，且不影响腔内场强的分布。 （1）求加速电场两极板之间的电压U； （2）若在空腔内加沿+x方向、大小为E的匀强电场，求粒子M、N打在正方体平面上的位置坐标； （3）若在空腔内加沿+y方向、大小为的匀强磁场，求粒子N打在正方体平面上的位置坐标： （4）若（2）、（3）中的电场和磁场同时存在，单位时间内有k个M粒子进入腔内，求平面B1C1C2B2受到M粒子的冲击力大小？ 【解析】（1）设粒子经加速获得的速度为v，则；解得 （2）设粒子打在平面上，则，；， 联立方程得粒子从M、N打在正方体平面上的位置坐标均为 （3）根据，联立方程得，粒子在磁场中圆周运动半径若粒子恰好打在上，则半径，所以粒子打在平面上。粒子N打在正方体平面上的位置坐标均为 （4）粒子M沿直线匀速运动并垂直撞击平面，设粒子受到平面的作用力为F，则在时间内 平面受到M粒子的冲击力大小为 3．如图所示，一些质量为m、电荷量为+q的带电粒子从一线状粒子源射出（初速度可视为0）经过电场U加速后，粒子以一定的水平初速度从段垂直射出（S为中点），进入边长L的正方体电磁修正区内（内部有垂直面的匀强磁场B与匀强电场E）。距离正方体底部L处有一与平行的足够大平板，能吸收所有出射粒子。现以正方体底面中心O在平板的垂直投影点为原点，在平板内建立直角坐标系（其中x轴与平行）。所有带电粒子都从正方体底面离开，且从M点进来的粒子在正方体中运动的时间为。 （1）粒子射出正方体电磁修正区后的速度； （2）若满足关系式，求从S点入射的粒子最后打到平板上的位置坐标； （3）接（2）问，若粒子源单位时间内射出n个粒子，则单位时间内平板受到粒子的作用力为多大？ 【解析】解法一：（1）由动能定理得得；；所以 故可得 （2）若粒子从M点射入，由解得由（1）得故 则从S点射入的粒子y方向的总位移为又因为x轴对应直线为 故坐标为。