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第 1 章 检测题 （共100 分， 120 分钟） 一、填空题： （每空0.5 分，共 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。 P 型半导体是在本征半导体中掺入 极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能 移动的杂质离子带 负 电。 2 、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极 管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。 3、 PN 结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN 结反向偏置时， 外电场的方向与内电场的方向 一致 ， 有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4 、PN 结形成的过程中， P 型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散， N 型半导体中的多 数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向 由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增 强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN 结 形成。 7 、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管， 正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。 三、选择题： （每小题 2 分，共 20 分） 2、 P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A 、三价； B 、四价； C 、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A 、导通状态； B、截止状态； C 、反向击穿状态； D、任意状态。 5、 PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A 、多子扩散； B、少子扩散； C 、少子漂移； D 、多子漂移。 E B C 6、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 V ＝2.1V ，V ＝2.8V ，V ＝4.4V ，说明此三极管 处在（ A ）。 A 、放大区； B 、饱和区； C 、截止区； D 、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A 、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C 、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题： （每小题 4 分，共 28 分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚① 12V 、管脚② 3V 、管脚③ 3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 1 / 8word. 答：管脚③和管脚②电压相差 0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚② 和③的电位都高， 所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管