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第三章 电磁屏蔽技术 屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计杨继深 2002电磁屏蔽屏蔽后的场强E2屏蔽前的场强E1对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB杨继深 2002实心材料屏蔽效能的计算入射波SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B＝ R＋ A＋BB场强吸收损耗AR1R2距离杨继深 2002波阻抗的概念?波阻抗电场为主 E ? 1/ r3 H ? 1 / r2E/H平面波 E ? 1/ r H ? 1/ r377磁场为主 H ? 1/ r3 E ? 1/ r2?/ 2?到观测点距离 r杨继深 2002吸收损耗的计算?0.37E0入射电磁波E0剩余电磁波E1E1 = E0e-t/?t A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB A ＝ 8.69 ( t / ? ) dBA = 3.34 t ? f ?r?rdB杨继深 2002趋肤深度举例杨继深 2002反射损耗远场：377?ZW近场：取决于源的阻抗 R ＝ 20 lg4 ZsZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r同一种材料的阻抗随频率变反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。杨继深 2002不同电磁波的反射损耗377远场: R ＝ 20 lg4 Zs4500dB电场: R ＝ 20 lgD f Zs 2 D f磁场: R ＝ 20 lgZsZs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m）f = 电磁波的频率（MHz）杨继深 2002影响反射损耗的因素R(dB)靠近辐射源 电场r = 1 mr = 30 m150平面波r = 30 m磁场 r = 1 m靠近辐射源 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100Mf3? 108 / 2?r杨继深 2002综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)屏蔽效能（dB）250电场波 r = 0.5 m高频时电磁波种类的影响很小平面波150磁场波 r = 0.5 m0频率0.1k 1k 10k 100k 1M 10M杨继深 2002多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。B = 20 lg ( 1 - e -2 t / ? )说明： B为负值，其作用是减小屏蔽效能 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略 对于电场波，可以忽略杨继深 2002怎样屏蔽低频磁场？低频吸收损耗小低频磁场反射损耗小磁场高导电材料高导电材料高导磁材料杨继深 2002高导磁率材料的磁旁路效果H0R0RsH1RsSE = 1 + R0/RSH0H1R0杨继深 2002低频磁场屏蔽产品杨继深 2002磁屏蔽材料的频率特性?r 103坡莫合金15?金属10镍钢5冷轧钢1 0.01 0.1 1.0 10 100 kHz杨继深 2002磁导率随场强的变化磁通密度 B 饱和? = ?B /? H最大磁导率起始磁导率磁场强度 H杨继深 2002强磁场的屏蔽高导磁率材料：饱和低导磁率材料：屏效不够高导磁率材料低导磁率材料杨继深 2002加工的影响100跌落前8060跌落后402010 100 1k 10k杨继深 2002良好电磁屏蔽的关键因素没有穿过屏蔽体的导体屏蔽体导电连续不要忘记：选择适当的屏蔽材料你知道吗：与屏蔽体接地与否无关屏蔽效能高的屏蔽体杨继深 2002实际屏蔽体的问题实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等电源线缝隙通风口显示窗键盘调节旋钮指示灯电缆插座杨继深 2002远场区孔洞的屏蔽效能?HLLSE = 100 – 20lgL – 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(L/H)) = 0 dB 若 L ? ? / 2杨继深 2002孔洞在近场区的屏蔽效能若ZC ? （7.9/Df）：（说明是电场源）SE = 48 + 20lg ZC – 20lg L f + 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) )若ZC ?（