项目一识别与检测常用电子元器件.pptxVIP

项目一 识别与检测常用电子元器件;看一看、认一认;电子电路中主要包括以下元件：;元器件选择;任务1 正确使用万用表;一、MF47型指针式万用表的组成;1.表头;标度尺;2.转换开关;3.测量线路;二、指针式万用表的使用;2. 交流电压的测量 1）选挡位：交流电压挡 2）选量程：当不知电压范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域 3）选刻度：选标有“V ～”刻度线，读取合适的刻度 4）测量：表笔与被测电路并联，不分极性 5）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被??电压数值;3. 直流电压的测量 1）选挡位：直流电压挡 2）选量程：当不知电压范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域 3）选刻度：选标有“V -”刻度线，读取合适的刻度 4）测量：表笔与被测电路并联。红笔接电路高电位端，黑笔接电路低电位端 5）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电压数值;4. 直流电流的测量 1）选挡位：直流电流挡 2）选量程：当不知电流范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域 3）选刻度：选标有“mA”刻度线，读取合适的刻度 4）测量：断开被测电路 ，将万用表红、黑表笔串入，电流从红笔入黑笔出 5）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电流数值;;任务2 学会识别电子元件;;;1. 电阻器标称阻值和偏差的标注方法;;;举例： 1. 四环电阻 色环顺序：棕黑黑金——阻值为10 Ω ,误差为±5% 2. 五环电阻 ;2. 电阻器的额定功率;二、识别电容器;1.电容器的标注方法;例1——直标法;例2——数字表示法;涤纶薄膜电容 耐压：400V 容量：33X104μF 误差：J为±5％ 表示容量为33X104μF 误差为±5％ 耐压为400V 涤纶薄膜电容器 ;耐压为“2A”＝1.0×102=100V 容量为“104”＝10×104pF 误差为“J”＝ ±5％ 涤纶薄膜电容器;例3——数字表示法;三、识别电感器;电感器的单位及符号;任务3 认识二极管;二极管图形符号： 文字符号：VD ;实物外形正负电极的识别 ;二、二极管的导电特性实验;2. VD反接时 ;1. 正向偏置 灯泡亮时，与电源正极靠近的就是二极管正极，与电源负极靠近的就是二极管负极，这叫给二极管加上了正向电压称为正向偏置（简称正偏）。 此时二极管的正向电阻很小，如同开关闭合。 2. 反向偏置 灯泡不亮时说明二极管两端加了反向电压，称为反向偏置（简称反偏），此时的反向电阻很大，二极管如同开关断开。 ;结论;三、二极管的结构与分类;PN结为何有单向导电性?——认识半导体; 载流子：能够运载电荷的粒子称为载流子。 半导体中的载流子有两种： 自由电子：带负电荷 空穴：带与自由电子等量的负电荷。 特性：载流子在外电场作用下可以做定向移动，形成电流。只是本征半导体中的截流子很少，导电性能很差，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。 ;（2）杂质半导体及分类 定义： 掺杂后的半导体为杂质半导体。 分类：按所掺入杂质类型不同，分为P型半导体和 N型半导体。 1）P型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的三价元素，就形成P型半导体（空穴型半导体）。其内部有两种运载电荷的粒子，即载流子,其中空穴是多数载流子（简称多子），自由电子是少数载流子（简称少子）。 2）N型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价元素，就形成N型半导体（或电子型半导体）。其中自由电子是多数载流子（简称多子），空穴是少数载流子（简称少子）。 ;（3）PN结： 1）定义：利用特殊的掺杂工艺，在一块晶片两边分别生成N型和P型半导体，两者的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为PN结 ;2）PN结 的特性 PN结上加正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，这时外加电压产生的外电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱，形成较大的扩散电流，即正向电流。这时PN结的正向电阻很低，处于正向导通状态。 PN结加反向电压， 即N区接电源正极，P区接电源负极，这时外电场与内电场方向一致，增强了内电场，使PN结的反向电阻大，处于反向截止状态。所以说PN结具有单向导电性。;2. 分类;3. 二极管的主要参数; 分析二极管的单向导电特性;（1）正向特性（纵轴右侧）：表示二极管加正向电压时，该电压与流过二极管电流之间的关系。正向特性分