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IRFP460中文资料 功率场效应管 PRODUCT SUMMARY VDs (V) 500 RDS{on)(⑵ VGS = 10 V 0.27 Qg (Max.) (nC) 210 Qgs (nC) 29 Qgd (5 110 Configuration Single 1、 动态dV/ dt额定值 2、 额定重复性雪崩 3、 中央隔离安装孔 4、 快速切换 5、 易于并联 6简单的驱动要求 特性： 1、 Vishay公司提供的具有最佳坚固耐用、快速切换特性的第三代场效应管，低 导通电阻和成本效益的最佳组合。 2、 TO-247封装是工业和商业应用首选的具有更高功率水平的设备， 不需要使用 TO-220。该TO-247的绝缘安装孔与TO-218封装相似但又优于TO-218，它还提 供引脚tomeet的最安全规范的要求之间更大的爬电距离。 ORDERING INFORMATION Package TO-247 Lead (Pb)-fee IRFP460PbF 0HFP46惓 SnPb IRFPW 9HFP460  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 cCr unless otherwise noted PARAMETER SYMBOL LiMrr UNIT DrairvSouFce Voltage Vds 500 V Gai«-Sluice Voltage Vgs ±20 Canbnuous Drain Current VGs at 10 V Tc=25C h 20 A Tc=1Q0°C 13 Pulsed Drain Curren? !dm B0 Linear Derating Factor 2,2 m Single Pulse Avalanche Energy11 E*S 9S0 mJ Repetitive Avalancte Currant3 AR 加 A Repetitive Avalanche Erbergf Ear 28 mJ Maximum Power Dissipation Tc=25flC Pc = 2B0 W Peak Diode Racovery dWrif dv/di 3.5 V/fts Operating Junction and Storage Temperature Range □ Tjlg -55 to +150 DC Soldering Recommerxiatos （Peak Temperature） lorlOs 3刖 Mounting Torque 6-32 or M3 screw W Ibf-ri 1」 N m 注释： a重复性评估；最大结温值下的有限脉冲宽度（见图 11）; b、 VDD = 50 V,开始温度 TJ = 25 ° C, L = 4.3 mH, RG = 25 Q , IAS（:见图A 12）; c、 ISD 20 A, dl/dt 160 A/ 我 VDD VDS, TJ 150 ° C.; d、 根据情况选1.6mm. THERMAL RESISTANCE RATINGS PARAMETER SYMBOL TYP, MAX. UNIT Maximum Junctio rktn-^Ebiefd RthJA - ,3C/W Case-Eo-Sinit. Flat, Gre日日d SuiikcB Rmcs - Maximum Junctiorriataim日（Drain} RthJC - 045 SPECIFICATIONS Tj = 25 °C, unless otherwise noted PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT Static Drain-Source Breakdown Voltage Vos VGS = OV,lD = 250pA 500 ■ V Vqs Temperature Coefficient AVqs/Tj Reference to 25 °Cf Iq = 1 mA ■ 0.63 v/°c Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Vos=^GS« b = 250 pA 2.0 4.0 V Gate-Source Leakage •gss Vqs = ±20V ■ ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current dss VDs = 500ViV6S = 0V 25 “A VDs = 400V,VGs = 0VtTj = 125°C ■ 250 Drain-Source On-State Resistance RDS(oo| Vgs = 10V I。= 12 Ab 0.