实验六电容-电压法测量pn结的平均杂质浓度和杂质分布.pdfVIP

.- 实验六 电容- 电压法测量 p+n 结的平均杂质浓度和杂质分布 一、实验目的 1. 掌握电容 - 电压特性测试仪的使用 2. 通过测量 p+n 二极管电容与反向电压的关系， 测量硅 p+/n 外延层的杂质浓度随深度的分布。 二、实验原理 对于一个 P+N 的单边突变结。 P 区一边空间电荷区很窄，是因为掺杂浓度很高。 空间电荷的宽度几乎全在 n 型半导体一边，其中正的空间电荷由电离施主构成， 此空间电荷区称为耗尽层，如图 1 所示。 耗尽层的宽度取决于半导体的杂质浓度。平衡时耗尽层的宽度为： （1） 当外加偏压时，耗尽层的宽度随外加电压的变化二变化： （2） .- （3） 耗尽层的厚度随外加电压的变化直接反映着耗尽层具有一定的电容，