带隙基准电压源的设计.docxVIP

哈尔滨理工大学软件学院 课程设计报告 课 程 大三学年设计 题 目 带隙基准电压源设计 专 业集成电路设计与集成系统 班 级 集成10-2班 学 生 唐贝贝 学 号 1014020227 指导老师 董长春 2013年6月28日 一.课程设计题目描述和要求 … .课程设计报告内容 课程设计的计算过程?… 带隙电压基准的基本原理 指标的仿真验证结果?… 网表文件 .心得体会 .参考书目  课程设计题目描述和要求 1.1电路原理图： (1).带隙基准电路 VtD Mi MJ Ml M4 (2).放大器电路 Lr LJu XI JL JI 设计指标 放大器：开环增益：大于70dB 相位裕量：大于60度 失调电压：小于1mV 带隙基准电路：温度系数小于10ppm/ C 要求 1＞手工计算出每个晶体管的宽长比。 通过仿真验证设计是否正确，是否满足 指标的要求，保证每个晶体管的正常工作状态。 2＞使用Hspice工具得到电路相关参数仿真结果，包括：幅频和相频特性(低 频增益，相位裕度，失调电压)等。 3＞每个学生应该独立完成电路设计，设计指标比较开放，如果出现雷同按不 及格处理。 4＞完成课程设计报告的同时需要提交仿真文件，包括所有仿真电路的网表， 仿真结果。 5＞相关问题参考教材第六章，仿真问题请查看 HSPICE手册。 二.课程设计报告内容 由于原电路中增加了两个 BJT管，所以Vref需要再加上一个Vbe,导致最 后结果为M x?x(ln n)之8.6 ,最后Vref大概为1.2V,且电路具有较大的电流， 可以驱动较大的负载。 课程设计的计算过程 1＞ M8, M9, M10, M11, M12, M13 宽长比的计算 设 Im8=Im9=20uA (W/L)8=(W/L)9=20uA 为了满足调零电阻的匹配要求，必须有 Vgs13=Vgs6 ，因此还必须满足(W/L)13=(Im8/I6)*(W/L)6 即(W/L)13/(W/L)6=(W/L)9/(W/L)7 取(W/L)13=27 取(W/L)10=(W/L)11=(W/L)13=27 因为偏置电路存在整反馈，环路增益经计算可得为 1/(gm13*Rb),若使环路 增益小于 1,知(W/L)12/(W/L)13 ＞ 4 故取(W/L)12=4*(W/L)13=107 2＞取 CL=2pf 3＞为了满足60DB的相位裕度的要求： Cc ＞ 0.22CL=0.44pf 由于设计需求取 Cc=4pf 4＞为了版图中的对称性去I5=53uA, I6=107uA 5＞单位增益带宽11MHz UGB=gm1/Cc=11MHz*2 九 又 gm6/CL=2.2*UGB=24MHz*2 九 计算得 gm1=44us gm6=48us 取 gm1=69us gm6=55us 6＞为了消去零点，即将零点移至无穷远处，则调零电阻满足以下公式： gm6*R2=1 得 R2 = 1.44k 7＞M1与M6宽长比的计算 由 gm1=[2Kp(W/L)1*I1]A0.5 取(W/L)2=(W/L)1=20 由 gm6=[2Kn(W/L)6*I6] A0.5 取(W/L)6=107 8＞M3, M4, M5, M7宽长比的计算 假设过驱动电压Vov=0.2v I3=I4=0.5Kn (W/L) Vov*Vov 取(W/L)3=(W/L)4=27 由偏置电流源与电流的比例关系得：(W/L)5=53 (W/L)7=107 9＞由 Vgs13=Vgs12+Im8*Rs Vgs=错误！未找到引用源。 得 Rs=3.2k 带隙电压基准的基本原理 带隙电压基准的基本原理：。，才+「升=0 ；? T ； ? T px Qu MX0-0S7mr/℃) = l.5mV /℃ M宅 6 〃兄 6 AZ——— R、Ium 基准电压表达式： = V + +P V- V+,V-的产生原理： （1）利用了双极型晶体管的两个特性： 基极-发射极电压（VBE）电压与绝对温度成反比 在不同的集电极电流下，两个双极型晶体管的基极 -发射极电压的差值（A VBE）与绝对温度成正比 （2）双极型晶体管构成了带隙电压基准的核心 负温度系数电压： 双极型晶体管，具集电极电流（IC）与基极-发射极电压（VBE）关系为 Ic - IS exp（VBE ： Vt ） 其中，VT=kT/q 。利用此公式推导得出VBE电压的温度系数为 Me Vbe-（4 mM-Eg q FT - T 其中， m -1.5 Eg =1.12eV 是硅的带隙能量。 当 Vbe ： 750mV T = 300K 可得：Wbe；--1.5mV, C (3)实现零温度系数的基准电压 利用上面的正，负温度系数的电压，可以设计一个零温度系数的基准电压。 有以 下关系： vREF