霍尔效应实验及磁阻测量.pdfVIP

【实验名称】 霍尔效应实验及磁阻测量 【实验目的 】 （1）了解霍尔效应的产生原理以及副效应的产生原理； （2）掌握霍尔系数的测量方法，学习消除霍尔副效应的实验方法； （3）研究半导体材料的电阻值随磁场的变化规律。 【实验原理】 Ⅰ霍尔效应 霍尔最初的实验是这样的： 在一块长方形的薄金属板两边的对称点 1 和 2 之间接一个灵敏电流计（如图 3.7.1 所示），沿 x 轴正方向通 以电流 I 。若在 z 方向不加磁场，电流计不显示任何偏转，这说明 1 和 2 两点是等电位的。 若在 z 方向加上磁场 B ，电流计指针立即偏 转，这说明 1、2 两点间产生了电位差。霍尔发现这个电位差与电流 强度 I 及磁感应强度 B 均成正比，与板的厚度 d 成反比，即 其中 UH 为霍尔电压， RH为霍尔系数， HH K Rd = 为霍尔片的灵敏 度。 公式（3.7.1 ）在当时是一个经验公式，现在可以用洛仑兹力来 加以说明。试考虑一块厚度为 d 、宽度为 b 、长度为 l 且较长的半 导体材料制成的霍尔片， 如图 3.7.2 所示。设控制电流 I 沿 x 轴正 向流过半导体， 如果半导体内的载流子电荷为 e （正电荷，空穴型）， 平均迁移速度为 v ，则载流子在磁场中受到洛仑兹力的作用， 其大小 为： f B=evB （3.7.2 ） 在 fB 的作用下，电荷将在元件的两边积累且形成一横向电场 E，该 电场对载流子产生一个方向和 fB 相反的静电场力 fE ，其大小为： f E=eE （3.7.3 ） E B E f 阻碍着电荷的进一步积累，最后达到平衡状态时有 f = f ，即 evB=eE=eUH/b。于是 1 、2 两点间的电位差为： H U =vbB （3.7.4 ） 控制电流 I 与载流子电荷 e、载流子浓度 n、载流子漂移速度 v 及霍 尔片的截面积 bd 之间的关系为 I=nevbd ，则 H U =IB/ned （3.7.5 ） 和（ 3.7.1 ）式相比较后可以看出，霍尔系数及霍尔片的灵敏度分别 为 H R =1/ne （3.7.6 ） H H K =R/d （3.7.7 ） 若霍尔电压 UH用 V 为单位，霍尔片的厚度 d 用 m 为单位，电流 I 用 A 为单位，磁感应强度 B 用 T 为单位，则霍尔系数的单位是 m3／C（米 3 ／库仑）。 ：式（ 3.7.6 ）和（3.7.7 ）对大多数金属是成立的，但对 【说明】 霍尔系数比金属高得多的半导体材料