- 2
- 0
- 约1.92千字
- 约 30页
- 2021-11-29 发布于山西
- 举报
GF-B3720110001项目;目录;一 传声器的分类;对各种类型的传声器进行辐照实验,然后将辐照前后传声器主要技术指标进行比对,最终确定一类抗辐照性能最好的传声器。
传声器的主要技术指标 :
灵敏度;
频率范围(带宽);
信号噪声比(S/N);
源阻抗及推荐的负荷阻抗 ;
瞬态响应;
指向特性。;二 动圈式传声器;动圈式传声器具有结构牢固可靠、性能稳定、无需外加直流电压、使用简便等优点。拟采用得胜KM-655。;三 电容式传声器;膜片与金属极板之间的电容量比较小,一般为几十pF。因而它的输出阻抗值很高,约几十兆欧以上。这样高的阻抗是不能直接与放大器相匹配的。所以在话筒内接入一只结型场效应管来进行阻抗变换和电压放大。;JFET的电参数主要取决于沟道纯掺杂质浓度nc和迁移率μ。中子辐射引起的载流子去除效应将降低纯掺杂质浓度nc。由于中子辐射在硅体内形成的缺陷对于自由载流子来说是个散射中心,这就降低了硅材料载流子的迁移率,一般来说,当中子注量达1015/cm2以上时,迁移率降低才变得明显。
JEFT抗总剂量能力较双极器件要强得多,它的栅源漏电流IGSS对总剂量辐射灵敏。P沟JFET较N沟要耐总剂量辐射。噪声电压一般要经过103Gy以上的总剂量辐射后才有较明显的增加。总剂量辐射在耗尽区内引入缺陷和缺陷群,形成大量的复合-产生中心,使得IG
原创力文档

文档评论(0)