不同强度40s重复5次加Gz暴露后脑缺血恢复期大鼠学习记忆功能的变化医学.docVIP

不同强度40s重复5次加Gz暴露后脑缺血恢复期大鼠学习记忆功能的变化医学 目录 TOC \o 1-9 \h \z \u 目录 1 正文 1 文1：不同强度40s重复5次加Gz暴露后脑缺血恢复期大鼠学习记忆功能的变化医学 1 1材料和方法 2 文2：加Gz重复作用对大鼠前脑神经元的影响医学 7 图2－图7略 10 参考文摘引言： 11 原创性声明（模板） 12 文章致谢（模板） 13 正文 不同强度40s重复5次加Gz暴露后脑缺血恢复期大鼠学习记忆功能的变化医学 文1：不同强度40s重复5次加Gz暴露后脑缺血恢复期大鼠学习记忆功能的变化医学 0引言 目前，高性能战斗机产生的正加速度过载可达+9 G～+10 G，持续时间可达30～45 s，并可反复出现，已经超出了人体的正常耐受限度［1］. 高G暴露可引起人脑的病理生理性改变，作为重要脑功能的学习记忆功能必然也受到影响. 大量动物实验表明，脑缺血可引起动物脑部神经元的病理性改变，学习记忆功能受损［2］. 我们以往的研究［3］显示+6 Gz/3 min或+10 Gz/3 min的暴露可导致大鼠学习记忆能力显著降低，表明较长时间的+Gz暴露后大鼠正常的脑功能受到了影响. 但对每次作用持续时间较短且反复出现的+Gz暴露对学习记忆能力有无影响尚不清楚. 本研究旨在从不同角度探讨高G重复暴露致大鼠学习记忆能力变化中的各种加速度要素的作用意义. 1材料和方法 材料清洁级雄性SD大鼠24只，体质量160～180 g（第四军医大学实验动物中心）；动物离心机（自行研制），臂长2 m，可模拟1～15 G的加速度暴露；旷场反应箱、Y型迷宫和明暗箱（自行研制） 方法 动物分组先将动物在实验室饲养1 wk使之适应实验环境以排除惊吓、环境等因素对大鼠学习记忆和行为的影响，将动物随机分为3组：对照组、+6 Gz/40 s×5组（+6 Gz组）和+10 Gz/40 s×5组（+10 Gz组），每组8只. +Gz暴露方式采用动物离心机模拟+Gz暴露. 利用自制的有机玻璃盒（15 cm×5 cm×3 cm）承载大鼠，并水平固定于离心机的转臂上，大鼠头部朝向离心机旋转轴心. +6 Gz组和+10 Gz组大鼠在动物离心机上模拟+Gz暴露，暴露G值水平分别为+6 Gz和+10 Gz，单次峰值持续时间为40 s，加速度增长率为1G,连续进行5次暴露，每两次暴露之间间隔5 min. 对照组大鼠仅放置于有机玻璃盒中，处于实验组相同的离心机噪声环境中25 min，不进行+Gz暴露. 在+Gz重复暴露后即刻（2 min内）开始进行首次行为学检测，实验顺序为旷场反应、Y迷宫实验和被动回避试验. 检测时间点为暴露后0， 2， 4， 6 d，被动回避实验仅检测0d和6d两个时间点. 为保证实验结果的可靠性，实验均安排在安静、光线较暗的同一相似环境中进行，实验时间均为每日08：00~11：00. 旷场反应采用旷场分析观察大鼠兴奋性和运动的变化［4］. 实验时，将大鼠放入旷场反应箱正中格中，观察3 min内大鼠的活动情况. 观察指标包括中央格停留时间和总得分，即跨格次数(三爪以上跨入邻格的次数)和站立次数(两前肢离地1 cm以上)的和. 辨别性学习能力观察采用Y型迷宫实验. 实验开始时，将大鼠放入迷宫，使其适应环境1 min. 通电，起始臂灯亮，5 s延时后，不亮灯的两臂及连接区开始通电（40 V直流电），大鼠逃往安全臂. 此时灯光仍持续60 s，然后熄灯完成一次测试. 每时间点均进行15次测试. 记录正确反应次数和总反应时. 被动回避反应采用明暗箱进行实验. 暗箱通40V交流电，暗箱与明箱相连的壁中央有洞，大鼠可以自由通过. 先将大鼠放入明箱中，其钻入暗箱遭受电击后将逃回明箱. 以大鼠在明箱中停留时间超过5 min为学会. 记录0 d学会所用的总时间、潜伏期和错误数以及6d潜伏期. 统计学处理：所有数据均以x±s表示，使用SPSS 统计软件进行统计分析，采用重复测量方差分析检验行为学观察和辨别性学习能力实验结果，采用非参数检验比较被动回避反应实验结果. 2结果 旷场反应对照组大鼠中央格停留时间随学习次数的增加呈逐渐缩短趋势，总得分也逐渐降低. 和对照组比较，+6 Gz组大鼠在暴露后0 d总得分显著降低（P），中央格停留时间有延长的趋势；+10 Gz组大鼠中央格停留时间在0 d显著延长(P)，总得分在0 d显著降低(P)；与+6 Gz组比较，+10 Gz组大鼠中央格停留时间在0d和4d显著延长（P），总得分在各时间点均无显著差异（表1） 表1+Gz暴露后大鼠旷场反应中央格停留时间和总得分的变化（略） bP vs对照; cP vs +6 Gz. +6 Gz: +6 Gz重复暴露;+10 Gz: