电磁场与电磁波-第8章.pptxVIP

会计学;回顾;Helmholtz定理;本章主要内容;本讲主要内容;无限大均匀线性各向同性的介质中，由麦克斯韦方程，有;齐次波动方程; 在直角坐标系中，电场强度及磁场强度的各个分量分别满足下列方程： ;无源区中， ，故; 若电场强度E 的大小仅与坐标变量 z 有关，则电场强度不可能存在 z 方向的分量。不妨令电场强度方向为 x 方向，即 ; 电场强度随着时间 t 及空间 z 的变化波形如图示。;周期与频率：时间相位变化 2? 所经历的时间称为电磁波的周期，以 T 表示，而一秒内相位变化 2? 的次数称为频率，以 f 表示。那么由 的关系式，得 ; 考虑到一切介质相对介电常数 ，又通常相对磁导率 ，因此，理想介质中均匀平面波的相速通常小于真空中的光速。;缩波效应：由上式可见， ，即平面波在介质的波长小于真空中波长。这种现象称为波长缩短效应。;由关系式 可得;波阻抗：电场强度与磁场强度之比称为电磁波的波阻抗，以 Z 表示，即; 对于传播方向而言，电场及磁场仅具有横向分量，因此这种电磁波称为横电磁波，或称为TEM波。以后我们将会遇到在传播方向上具有电场或磁场分量的非TEM波。; 若圆柱体中全部储能在 t 时间内全部穿过端面 A ，则;已知 ， ，代入上式得 ;8.3 导电介质中的平面波 ;仍然令 ，且 ，则上式的解与前完全相同，只要以 kc 代替 k 即可，即 ;导电介质中的相速为;波长：导电介质中平面波的波长为 ;导电介质中磁场强度为 ;8.3 导电介质中的平面波 ;集肤深度：场强振幅衰减到表面处振幅 的深度称为集肤深度，以? 表示，则由;f /MHz ; 平面波在导电介质中传播时，振幅不断衰减的物理原因是由于电导率 ? 引起的热损耗，所以导电介质又称为有耗介质，而电导率为零的理想介质又称为无耗介质。; 理想介质中的平面波：频率、波长、波数、相 速、能速、波阻抗、复能流密度矢量等。;导电介质中的平面波：色散介质、有耗介质、等效介电常数、相位常数、衰减常数、色散、波阻抗、集肤深度等。;解 ①;② 海水中场强的复矢量形式为;作业;极化特性：电场强度的方向随时间变化的规律。 ; 合成波的大小随时间的变化仍为正弦函数， 合成波的方向与x 轴的夹角? 为 ; 两个相位相同或相反、空间相互正交的线极化平面波，合成后仍然形成一个线极化平面波。反之，任一线极化波可以分解为两个相位相同或相反的空间相互正交的线极化波。 ;则合成波瞬时值的大小为 ;——当t 增加时，夹角? 不断地增加，合成波矢量随着时间的旋转方向与传播方向 ez 构成右旋关系，这种圆极化波称为右旋圆极化波。; 一个线极化波可以分解为两个旋转方向相反的圆极化波。反之亦然。; 若上述两个相互正交的线极化波 Ex 和 Ey 具有不同振幅及不同相位，即 ; ; 平面波在边界上的反射及透射规律与介质特性及边界形状有关。我们仅讨论平面波在无限大的平面边界上的反射及透射特性。;;; 电场强度的切向分量在任何边界上均是连续的，考虑到所讨论的有限电导率边界上不可能存在表面电流，因而磁场强度的切向分量也是连续的。; 边界上反射波电场分量与入射波电场分量之比称为边界上的反射系数，以 R 表示，; 介质①中任一点的合成电场强度与磁场强度可以分别表示为 ;在 处，任何时刻的电场振幅最大。; 驻波与行波的特性截然不同，行波的相位沿传播方向不断变化，而驻波的相位与空间无关。;介质①中的合成磁场为; 由于电场与磁场的相位差为 。因此，复能流密度的实部为零，只存在虚部。这就表明介质①中没有能量单向流动，能量仅在电场与磁场之间进行交换。 ; 第二，若介质①为理想介质 ? = 0 ，介质②为一般导电介质，则介质①的波阻抗及传播常数分别为;在 处，电场振幅取得最小值，; 若两种介质均是理想介质，当 时，边界处为电场驻波的最大点；当 时，边界处为电场驻波的最小点。; 例 已知形成无限大平面边界的两种介质的参数为 ， ；