红外吸收法测定硅单晶中氧和碳.ppt

;氧的特征峰： （1）波长为λ1=8.3μm(波数为1205 -), 此吸收波峰主要为分子对称伸缩振动产生的，吸收峰很小。 (2) 波长为λ2=9μm(波数为1105 -), 此吸收波峰主要为分子弯曲振动产生的，吸收峰强度最大。 （3）波长为λ3=19.4μm(波数为515 -), 此吸收波峰主要为分子反对称伸缩振动产生的，吸收峰强度很小。;碳的特征峰： （1）波长为λ1=16.47μm(波数为607.2cm-), 此吸收波峰为基本峰，吸收峰强度较大。 (2) 波长为λ2=8.2μm(波数为1217cm-), 此吸收波峰主要为倍频峰，吸收峰很小。;2、半导体与光学常数之间的关?? 半导体对不同波长的光或电磁辐射有不同的吸收性能，常用吸收系数α来描述这种吸收特性。α的大小与光的波长λ有关，因而可以构成一个α～λ的连续普带，即吸收光谱。 如图所示，样品受到一束强度为 ，分为三部分： 、 和 ，因此有 ;将上式除 ，可得 R、K、T分别为反射率、吸收率和透射率。在半导体中传播时，吸收系数α的定义：相当于波的能量经过1/α距离时减弱为1/e倍。因此α越大，光强度减弱越多，光的吸收性能越高。 ; 在上图中的理想镜面，且两面平行的样品的情况下，考虑光在样品内部经多次反射，忽略干涉效应，透射光的强度 因此有 对于硅，R=30%,因此分析红外光谱，根据上式可以计算得到吸收系数α。;2、 和半峰宽 的求法 用如下公式来求吸收系数 比较麻烦， 一般用如下公式来求 ： ---从吸收峰到零透射线的测量值 ---从氧峰所对应的波数值横坐标的垂线与基线的交点到零投射线的测量值;半波峰 的定义：在吸收系数与波数的关系曲线上，取1/2 为办峰高，在半峰高处吸收峰的宽度波数值。如图所示;实际半波峰的做法： 令A点在上红外光谱吸收峰值的纵坐标上的一点，由A点对应的透射强度大小为 ,过点A作基线的平行线，与波峰两侧交点之间的波数宽度为半峰宽 。 只要证明A点的吸收系数为1/2 则说明该处得到的波数宽即为半峰宽： 证明： 因为 及 所以 ;3、氧、碳含量的计算公式： （1）爱因斯坦模型理论计算公式： 此公式在公式推导过程中把Si-O振子电荷看成是完整的电子电荷，与实际不符，目前不采用此公式计算。 （2）定氧含量的ASTM(美国材料试验协会）经验公式： 此方法设定将半峰宽 固定为宜常数：32厘米-1，硅单晶中的氧与 成正比关系（波数为1105cm-1的特征峰），采用真空熔化气体分析法，并用空气参考法和差别法测得到红外吸收光谱计算吸收系数，因此得到ASTM经验公式： ;1）空气参考法： 室温下（300K): 77K ： 2）差别法： 室温下（300K): 77K ： ;（3）定碳含量的ASTM经验公式： 用差别法测量得到红外光谱，由于Si-C振动的波数为607cm-1(16.4微米)。由于在室温条件下，在波长为16微米处出现硅晶格的吸收波峰，强度很大，因此采用差别法消除晶格吸收系数。得到经验公式： ASTM公司通过对C的放射性元素C14试验得到吸收系数与碳含量的关系，得到经验公式：;（4）德国工业标准测氧、碳的经验公式：这一公式与ASTM经验公式相比较，由于吸收系数换算为氧、碳含量的折算系数。因此有： 此测试条件与ASTM经验公式的测试条件相同;（5）我国测定标准的经验计算公式： 国内用氦载气熔化-气相色谱装置测定硅中氧含量与红外吸收系数之间的关系，得到如下经验公式:;四、我国测试硅晶体中间隙氧含量的标准方法： 1、测试方法与范围： （1)红外吸收法 Ω 的硅晶体。测量范围为: 至最大固溶度。 2、用红外光谱仪测定Si-O键在1107cm-（9.0334μm)处的吸收系数来确定硅晶体中间隙氧的含量。 3、测量仪器 （1）双光束红外分光光度计或傅里叶变换红外光谱仪。（仪器在1107cm- 处的分辨率小于5cm- 。） （2）低温测量装置。 （3）千分尺，精度0.01mm. （4)被测试样架和参比样品架。;4、试样制备： （1）测试试样 1）试样切取（从头部取）、研磨，试样的厚度偏差小于10μm。 2）抛光：机械抛光或化学抛光，使两表面均呈镜面。 3）在 试样测量部位，两表面的平整度均不大于2.2 μm. 4）试样测量部位试验的厚度均不大于10 μm。 5）氧含量大于或等于 的试样厚度约为2mm;氧含量 小于 的试样厚度约为10mm。 （2）参比样的制备方法同上，要求参比样