40Gb-sWD-PIN-PD-TIA组件的光电特性及其测试.pdfVIP

40Gb/s WD-PIN-PD/TIA 组件的光电特性及其测试 1.前言 对于单通道 40Gb/s 光传输系统来说，其光探测器一般不能采用正 面进光的 PIN-PD 结构。因为这种正面进光的探测器 PN 结电容和杂散电容大、 载流子渡越时间长，从而限制了它的光响应速率（或传输带宽）。为了提高光 响应速率 (带宽 ) ，探测器采用了窄条型侧面进光的波导型 PIN 结构 (WD-PIN-PD) 。 这种结构的 PN 结电容可小于 80ff (1ff = 10-15f )，且由于采用了半绝缘衬底， 降低了杂散电容；通过减小光吸收区的厚度，减小了载流子渡越时间。这些结 构上的变化，使波导型 PIN 光探测器的光响应带宽可大于 30GHz ，有的甚至达 到 50GHz 以上。 2003 年，我们开始设计、试制 40Gb/s WD-PIN-PD ，通过近 两年的实践，我们成功地制作了 40Gb/s WD-PIN-PD 。测量结果表明，该探测 器的暗电流