SSC8428GS6 20V7A增强型N沟道MOSFET-骊微电子.pdfVIP

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2021-11-30 发布于广东
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SSC8428GS6 20V7A增强型N沟道MOSFET-骊微电子.pdf

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SSC8428GS6 SSC8428GS6 现货TEL杜S N-Channel Enhancement Mode MOSFET  Features  Pin configuration VDS VGS RDSON Typ. ID Top view 11.5mR@10V 20V ±12V 13mR@4V5 7A 15mR@2V5  Description This SSC8428GS6 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDSON. This device is ideal for load switch and battery protection applications. SOT23  Applications  Load Switch  Li-ion battery protection  Ordering Information Device Package Shipping SSC8428GS6 SOT23 3000/Reel Marking Rev.2.0 SSC8428GS6  Absolute Maximum Ratings(T =25℃ unless otherwise noted) A Symbol Parameter Ratings Unit VDSS Drain-to-Source Voltage 20 V VGSS Gate-to-Source Voltage ±12 V ID Continuous Drain Current a 7 A IDM Pulsed Drain Current b 30 A PD Power Dissipation c TC=25℃ 1.2 W PDSM Power Dissipation a TA=25℃ 0.65 W TJ Operation junction temperature -55 to 150 ℃ TSTG Storage temperature range