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PT8205
20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS= 20V 现货TEL杜S
RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 24mΩ
RDS(ON),Vgs @ 4.5V, Ids @ 6A = 20mΩ
MARKING: .8205A
Features
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
High Power and Current handing capability
Ideal for Li ion battery pack applications
Package Dimensions
SOT-163
(SOT-23-6L)
.8205A
Millimeter Millimeter
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 1.10 MAX. L 0.45 REF.
A 1 0 0.10 L1 0.60 REF.
A2 0.70 1.00 θ 0° 10°
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D 2.70 3.10 e 0.95 REF.
E 2.60 3.00 e1 1.90 REF.
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