集成电路设计答案-王志功版.pdfVIP

第一章 1． 按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代它的发展遵循了 一条业界著名的定律，请说出是什么定律 晶体管 - 分立元件 -SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC 。MOORE定律 2． 什么是无生产线集成电路设计列出无生产线集成电路设计的特点 和环境。 拥有设计人才和技术， 但不拥有生产线。 特点： 电路设计，工艺制 造，封装分立运行。环境： IC 产业生产能力剩余，人们需要更多 的功能芯片设计 3． 多项目晶圆（ MPW）技术的特点是什么对发展集成电路设计有什么 意义 MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然 后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4 ． 集成电路设计需要哪四个方面的知识 系统，电路，工具，工艺方面的知识 第二章 1． 为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2．GaAs和 InP 材料各有哪些特点 P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触怎样的条件下金属与半 导体形成肖特基接触 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触， 金属与掺杂半导体接触形成肖 特基接触 4．说出多晶硅在 CMOS工艺中的作用。 P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI 材料是怎样形成的，有什么特点 SOI 绝缘体上硅， 可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。 特点： 电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点 肖特基接触：阻挡层具有类似 PN结的伏安特性。欧姆型接触：载 流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和 MOS晶体管的工作原理。 P19,21 第三章 1． 写出晶体外延的意义， 列出三种外延生长方法， 并比较各自的优缺 点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能 的晶体层。外延方法 : 液态生长，气相外延生长，金属有机物气相 外延生长 2．写出掩膜在 IC 制造过程中的作用， 比较整版掩膜和单片掩膜的区 别，列举三种掩膜的制造方法。 P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式 作用：把掩膜上的图 形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X 射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点 X 射线（ X-ray ）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高 分辨率的掩膜版。电子束扫描法， ，由于高速电子的波长很短，分辨 率很高 5． 说出半导体工艺中掺杂的作用， 举出两种掺杂方法， 并比较其优缺 点。 热扩散掺杂和离子注入法。 与热扩散相比， 离子注入法的优点如 下： 1. 掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。 2. 可进行小剂量的掺杂。 3. 可进行极小深度的掺杂。 4. 较低的工业温 度，故光刻胶可用作掩膜。 5. 可供掺杂的离子种类较多，离子注入法 也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格 会遭到严重破坏且难以恢复 2 6．列出干法和湿法氧化法形成 SiO 的化学反应式。 干氧 Si O SiO 湿氧 Si 2 H