EDA技术实用教程课件第一章可编程逻辑器件简介.pptxVIP

第1章 可编程逻辑器件简介;1.1可编程逻辑器件（PLD)的分类;逻辑符号说明;异或门；　　　　　 同或门 ;基本门电路的PLD表示法 ;图 与门表示法 ;图 PLD连接法 ;1.2可编程逻辑器件发展;ROM的数据表;W0;基于三级管的一次性可编程PROM单元;EPROM用编程器烧录;可擦除的PROM;① EPROM的存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管(FAMOS管)或叠栅注入MOS管(SIMOS)。 图 是SIMOS管的结构示意图和符号，它是一个N沟道增强型的MOS管，有Gf和Gc两个栅极。Gf栅没有引出线，而是被包围在二氧化硅(SiO2)中，称之为浮栅，Gc为控制栅，它有引??线。若在漏极D端加上约几十伏的脉冲电压，使得沟道中的电场足够强，则会造成雪崩，产生很多高能量的电子。此时若在Gc上加高压正脉冲，形成方向与沟道垂直的电场，便可以使沟道中的电子穿过氧化层面注入到Gf，于是Gf栅上积累了负电荷。由于Gf栅周围都是绝缘的二氧化硅，泄漏电流很小，所以一旦电子注入到浮栅之后，就能保存相当长时间(通常浮栅上的电荷10年才损失30%)。;图 SIMOS管的结构和符号 ;② E2PROM的存储单元如图 所示，图中称为浮栅隧道氧化层MOS管(Flotox)，其结构如图 9-10 所示。Flotox管的浮栅与漏极区(N+)之间有一小块面积极薄的二氧化硅绝缘层(厚度在2×10-8m以下)的区域，称为隧道区。当隧道区的电场强度大到一定程度(＞107V/cm)时，漏区和浮栅之间出现导电隧道，电子可以双向通过，形成电流。这种现象称为隧道效应。;图 Flotox管的结构和符号 ;图 E2PROM的存储单元 ;③ 快闪存储器(Flash Memory)是新一代电信号擦除的可编程ROM。它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除快捷的特性，而且集成度可以做得很高。 图是快闪存储器采用的叠栅MOS管示意图。其结构与EPROM中的SIMOS管相似，两者区别在于浮栅与衬底间氧化层的厚度不同。在EPROM中氧化层的厚度一般为30~40 nm，在快闪存储器中仅为 10~15 nm, 而且浮栅和源区重叠的部分是源区的横向扩散形成的，面积极小, 因而浮栅-源区之间的电容很小，当Gc和S之间加电压时，大部分电压将降在浮栅-源区之间的电容上。快闪存储器的存储单元就是用这样一只单管组成的，如图 所示。;图 快闪存储器 (a) 叠栅MOS管； (b) 存储单元 ;PROM用于组合逻辑电路;输入A{3:0];;PROM的逻辑阵列结构;PROM实现半加器;PROM的缺点;;;PLA优缺点：;;;PAL优点：;1.2.４通用阵列逻辑器件GAL（ General Array Logic Device）;图GAL16V8逻辑图 (a) 逻辑图； (b) 引脚图 ;逻辑宏单元;图 OLMC的内部结构 ;图 OLMC 5 种工作模式的等效电路 (a) 专用输入模式； (b) 专用组合输出模式； (c) 反馈组合输出模式； (d) 时序电路中的组合输出模式； (e) 寄存器输出模式 ;表 四种PLD的结构特点 ;1.2.5掩膜门阵列的ASIC(专用集成电路）;1.2.6复杂可编程逻辑器件CPLD与现场可编程门阵列FPGA;很短的交货时间 可编程的 没有非循环工程费用;;CPLD/FPGA厂商;　 2。XILINX：FPGA的发明者，老牌PLD公司，是最大可编程逻辑器件供应商之一。产品种类较全，主要有：XC9500/4000，Coolrunner(XPLA3) ，Spartan, Virtex等。开发软件为Foundition和ISE。通常来说，在欧洲用Xilinx的人多，在日本和亚太地区用ALTERA的人多，在美国则是平分秋色。全球PLD/FPGA产品60%以上是由Altera和Xilinx提供的。可以讲Altera和Xilinx共同决定了PLD技术的发展方向。;　 3。Lattice：Lattice是ISP技术的发明者,ISP技术极大的促进了PLD产品的发展，与ALTERA和XILINX相比，其开发工具比ALTERA和XILINX略逊一筹。中小规模PLD比较有特色，不过其大规模PLD、FPGA的竞争力还不够强? 1999年推出可编程模拟器件。99年收购Vantis（原AMD子公司）,成为第三大可编程逻辑器件供应商。2001年12月收购agere公司（原Lucent微电子部）的FPGA部门。主要产品有ispLSI2000/5000/8000, MACH4/5，ispMACH4000等 ;9、 人的价值，在招收诱惑的一瞬间被决定。9月-219月-21Thursday, September 9, 2021 10、低头要有勇