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PAGE 1 PAGE 1 电源控制芯片中的过流保护设计  本文介绍采用直接检测LDMOS漏端电压来推断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD高压工艺，在cadence环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能，相比其它方法，在功耗、效率、工艺兼容性、成本等方面均有很大提高，可以直接应用于电源掌握芯片中的安全保护设计。  1引言  家电、便携电子设备和手持电器的迅猛发展，已使电源适配器芯片成为集成电路的大宗产品类。由于该类芯片中内嵌集成或需要外部连接功率LDMOS管，应用中的LDMOS管又需要直接和高压相联接并通过大电流（目前的LDMOS管已经能耐受数百乃至近千伏的高压）。因此，如何保障芯片和LDMOS管的安全工作是芯片设计的重点之一。  利用片上二极管正向压降的负温度特性来监测芯片的热状态，进而掌握功率LDMOS管的开关是一种可行的安全设计方法。但是由于硅片存在热惰性，故不能做到即时掌握。该方法更相宜作安全设计的第二道防线。  从芯片设计看，要确保适配器芯片使用的安全性，比较好的方法应当是直接监测流经LDMOS管的大电流或LDMOS管的漏极电压，以实时监控芯片的工作状态。一般采取两种方案：（一）在功率MOS管源端对地串联一个小电阻用于检测源极电流，如图1（a）所示；（二）是通过检测电路监控LDMOS的漏端电压，如图1（b）所示。前一种方案至少有以下缺点：（1）由于工艺存在离散性，电阻值很难做到精确（误差在20%左右）；（2）源极串入电阻后，使原本导通电阻很大的LDMOS管的管压降进一步增大，功率处理能力变弱；（3）电阻上流过大电流，消耗了不必要的能量，降低了开关电源的转换效率。 图1（a）串联电阻检测电流图1（b）直接检测漏端电压 而采用后一种方案，因为利用了集成电路的特点（电压采样电路的电阻比精度很简单做到1%），电路处理并不太复杂。重要的是LDMOS管没有源极串联电阻，可削减能量损耗，不影响LDMOS管的功率处理能力，提高了电源转换效率。  直接检测漏端电压推断LDMOS是否过流的设计思想是在LDMOS管导通时，通过采样电路检测LDMOS漏端电压，经比较，过流比较器输出一个低电平过流信号以关闭LDMOS管；而在LDMOS管截止期间，采样电路不工作，同时为了提高牢靠性将比较器窗口电平适度拉高。  图2是实现上述功能的电路框架图，由过流比较模块、掌握规律等组成。 图2过流保护电路框架 2电路设计  2.1过流比较模块  过流比较模块主要由前沿消隐Leadedge、采样电路Sample、比较电压产生器ToCompare和过流比较器Comparator等组成，如图3所示。  前沿消隐电路由于存在片上寄生或外接电容和电感的影响，在LDMOS管开启的瞬间，会在LDMOS管漏极输出端出现尖峰电压，可能造成过流误判。必需增设前沿消隐电路，即对LDMOS管栅控电压产生一个时间延迟，使在LDMOS管开启的瞬间将过流比较器闭锁，等到尖峰通过后，再对LDMOS管漏极信号进行采样测量和过流推断，从而消退漏电压尖峰的影响。如图3所示，我们在其中加入一个偏置在固定电压V（BIASN）的NMOS管，它相当于一个固定电流源，以限制电容放电的时间。 图3过流比较模块电路图 合理设计相关的器件参数可以掌握延迟时间的大小。  本文介绍采用直接检测LDMOS漏端电压来推断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD高压工艺，在cadence环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能，相比其它方法，在功耗、效率、工艺兼容性、成本等方面均有很大提高，可以直接应用于电源掌握芯片中的安全保护设计。  1引言  家电、便携电子设备和手持电器的迅猛发展，已使电源适配器芯片成为集成电路的大宗产品类。由于该类芯片中内嵌集成或需要外部连接功率LDMOS管，应用中的LDMOS管又需要直接和高压相联接并通过大电流（目前的LDMOS管已经能耐受数百乃至近千伏的高压）。因此，如何保障芯片和LDMOS管的安全工作是芯片设计的重点之一。  利用片上二极管正向压降的负温度特性来监测芯片的热状态，进而掌握功率LDMOS管的开关是一种可行的安全设计方法。但是由于硅片存在热惰性，故不能做到即时掌握。该方法更相宜作安全设计的第二道防线。  从芯片设计看，要确保适配器芯片使用的安全性，比较好的方法应当是直接监测流经LDMOS管的大电流或LDMOS管的漏极电压，以实时监控芯片的工作状态。一般采取两种方案：（一）在功率MOS管源端对地