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②过流、热失效： 散热设计不完善 短路 过电流 栅极电压欠压 极配线开路 开关频率异常增加 开关时间过长 散热不良 ③功率循环与热循环： 过大的温度变化 过频繁的温度变化 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 3.一些失效案例 A、过压失效 IGBT芯片耐压环位置损坏严重 IGBT芯片耐压环位置损坏严重 故障点靠近硅片边沿或传感器, 其电场较强。 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 3.一些失效案例 A、过压失效 故障点靠近硅片边沿或传感器, 其电场较强。 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 综述：IGBT芯片铝线和芯片表面键合位置为绑线点，当此位置出现类似现象时，可以判定为过电流损坏。 损坏的原因一般有以下几种： 1、输出短路或输出接地； 2、母线铜牌打火导致浪涌电流； 3、门极控制信号异常（有干扰源或者本身器件损坏） IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 B、过流失效 故障点集中于绑定线区域，因为短路电流流向是从背部的‘C’ 到绑定线部位的E. IGBT芯片绑线点位置损坏严重 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 IGBT内部结构及常见失效模式 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 主要内容 一、IGBT的结构 二、IGBT常见的失效模式 三、QA IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 1.芯片结构和特征 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 平面型发展方向： 平面型→沟槽型→软沟槽型 垂直发展方向： 穿透→非穿透→场终止 图1.3 IGBT芯片发展历程 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 (ABB 第1代) “128” 正温度系数 软穿通 最大结Tj=150°C (Infineon 第3) “T3” 正温度系数 “场终止” 最大结Tj=150°C n + n - collector Gate Emitter Trench-IGBT p + 135 μm n + p n + n - Collector Gate Emitter Trench4 IGBT p + 125 μm n + p (Infineon 第4代) “T4” 正温度系数 场终止 最大结Tj=175°C 开关损耗降低30% n + n - Collector Gate Emitter SPT-IGBT p + p n 135μm IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 IGBT模块的封装工序流程： 芯片和DBC焊接邦线→DCB和铜底板焊接→安装外壳→灌注硅胶→密封→终测 3.IGBT芯片的结构和封装流程 图1.4 IGBT模块构造图 图1.5 IGBT模块封装图 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 典型三电平主回路拓扑结构 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 ppt课件 * 2021/3/26 1.图示8处插入铜排，引出的为1管 的集电极（C级） 2.图示5处接1管的集电极 3.图示4处接1管的门极（G级） 4.图示3处接1管的发射极（E级） 同时为2管的集电极（C极） 同时为钳位二极管的负端 5.图示9处接钳位二极管的正端 6.图示1处接2管的门极（G级） 7.图示2处接2管的发射极（E级） 8.图示10处接2管的