mems技术电子零件原理.pptxVIP

第1页/共87页课程内容MEMS概述及MEMS设计的概述工艺简要回顾系统设计、工艺设计及版图设计主要的机械、电子元件及其设计基础多域耦合设计：以机电耦合为例子器件性能的估计简单的其他域的元件及其简要设计要点设计实例第一页，编辑于星期六：七点 三十五分。第2页/共87页第4讲主要内容(3)1、弹簧设计原理及计算例子2、薄膜设计原理及计算例子3、电容设计原理及计算例子4、电阻设计原理及计算例子5、压电模型第二页，编辑于星期六：七点 三十五分。第3页/共87页电容变化静电力第三页，编辑于星期六：七点 三十五分。第4页/共87页图2-17电容式微传感器的基本结构 平行板电容器的电容为第四页，编辑于星期六：七点 三十五分。电容敏感原理 第5页/共87页 式中 A为极板面积 为真空介电常数 为极板间介质的相对介电常数 当介质为空气时， ； 为两极板间距离间隙变化型：改变两极板间隙面积变化型：改变形成电容的有效面积A介质变化型：改变两极间介质的介电常数 第五页，编辑于星期六：七点 三十五分。第6页/共87页 间隙变化型电容式微传感器利用泰勒级数展开，由麦克劳林公式可得 第六页，编辑于星期六：七点 三十五分。第7页/共87页略除高阶无穷小项，得这时传感器的灵敏度和非线性误差分别为：第七页，编辑于星期六：七点 三十五分。第8页/共87页采用差动电容结构可以大大减小传感器输出的非线性： (2-12) (2-13) (2-14) (2-15)第八页，编辑于星期六：七点 三十五分。第9页/共87页 在小位移情况下，外加作用和成比例关系，可见电容的倒数差及电容的差除和都与输入作用力成线性关系。 式(2-14)表明，用电容的差除和表达传感器的性能，其输出还要受到介质介电常数的影响。 式(2-15)表明电容差除和只受电容极板间隙和间隙变化的影响。目前，硅电容变送器普遍采取式(2-15)的方法来描述传感器的性能。 第九页，编辑于星期六：七点 三十五分。第10页/共87页其他的电容变化形式变面积电容器第十页，编辑于星期六：七点 三十五分。第11页/共87页两种电容变化形式的变化量对比 （电容原值、导线的电容值、电容变化值） A example: calculate to C and the shift of Cgap=g=1Thickness=t=2finger length=L=100overlap length x=75Wire：L=1m, r=0.2mm, d=1mm第十一页，编辑于星期六：七点 三十五分。第12页/共87页电容readout—位置检测和速度检测Why modulate v(t)?Ideal buffer: cin=0第十二页，编辑于星期六：七点 三十五分。第13页/共87页Matched Air-Gap Reference Capacitors 第十三页，编辑于星期六：七点 三十五分。第14页/共87页Simple Capacitor Divider (con.)matched air-gap reference capacitoroffsetsignal第十四页，编辑于星期六：七点 三十五分。第15页/共87页Capacitor Divider With Differential ExcitationWhy modulate v+ and v- ?Ideal buffer: cin=0Impedance divider with superposition:第十五页，编辑于星期六：七点 三十五分。第16页/共87页Improved Capacitive Divider (cont.)distortionno offset!第十六页，编辑于星期六：七点 三十五分。第17页/共87页The capacitive Half -BridgeImpedance divider with superposition:第十七页，编辑于星期六：七点 三十五分。第18页/共87页The capacitive Half –Bridge (cont.)Simplify expression: No offset， 2x signal increase第十八页，编辑于星期六：七点 三十五分。第19页/共87页Parasitic CapacitancesSurface micromachined z-axis parallel-plate capacitor第十九页，编辑于星期六：七点 三十五分。第20页/共87页Equivalent circuitCpp (x): nominal || plate sense capacitorCf1 (x): fringe capacitance (varies with plate displacemen