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磁控溅射制备二氧化铪薄膜的光电二极管特性 制作了金/氢氧化铪/磷硅结构的光电二极管。 光电流随着紫外光强度的增加而增加，最大值为80 μA 这种光电二极管也有很高的损伤阈值，在8 V偏压下，光电流仍然不饱和。 关键词:二氧化铪薄膜金属氧化物半导体器件光电二极管光电流自由载流子  用射频磁控溅射装置在p-Si衬底上沉积二氧化铪薄膜，并在750℃和氧气气氛下退火10分钟。光谱分析表明，二氧化铪薄膜对光，特别是紫外波段具有良好的透过率。氧化铪层属于单斜相，厚度约为50纳米。在Au/HfO2/ p-Si结构中，室温下研究了光电二极管的特性，与白光下产生的光电流相比，紫外光下产生的响应电流更加突出。在23.5毫瓦/平方厘米的紫外照射下，光电流达到80 μA，器件的重复响应稳定。发现这种光电二极管的工作机制可以有三种不同的状态:反向偏置的多数载流子堆积状态，暗条件下正向偏置的多数载流子耗尽状态和紫外照射下正向偏置的少数载流子反转状态。该器件还具有较高的损伤阈值，在偏压为8 V时光电流仍不饱和，表明它可以作为一种新型紫外探测器应用。 PAGE PAGE 2 C.-F. C.-F. Liu et al. / Materials and Design 188 (2020) 108465 PAGE 11 介绍 二氧化氢因其良好的热稳定性和化学稳定性而备受关注[ 1】，高介电常数(~25) [ 2】，大带隙宽度(5.4 eV)和高折射率[ 3]，在紫外和红外波段具有良好的透射率[ 4]，使其成为电阻开关氧化物和光学材料的竞争候选材料。同时，二氧化铪具有较高的击穿场强和硬度，被认为是最有希望替代二氧化硅的高K栅介质材料 2].基于上述特性，纯氢氟碳化合物具有广泛的用途，包括电阻切换[ 5–10]、抗紫外线薄膜和具有二氧化铪栅极电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管[ 11–13].然而，尽管光电子学特性在它的研究和应用中起着重要的作用，但很少有人关注它的光电子学特性。 金属氧化物半导体结构一直是主流技术[ 14, 15].由于金属氧化物和氧化物半导体的界面效应，这种金属氧化物半导体器件主要用于集成电路的二极管和金属氧化物半导体电容器，尤其是光电二极管。典型的夹层金属氧化物半导体结构由半导体/氧化物/金属组成。例如，硅、氮化镓和锗通常用作半导体，二氧化硅、氧化铝和氧化锌用作氧化物层，氧化铟锡、金和铂用作金属电极。金属氧化物半导体器件的性能可以通过改变不同的材料或相同材料的数量和相结构来调节或优化。以前的研究表明，金属氧化物半导体结构可以用于隧道二极管整流器，这是一种红外天线耦合器件，这给新型金属氧化物半导体器件带来了很大的启发 16–18].近年来，对金属氧化物半导体光电二极管的研究越来越深入，如氧化锌基金属氧化物半导体光电探测器 19–21]，基于二硫化钼-二氧化铪的金属氧化物半导体电容器[ 22]和基于二氧化铪的金属氧化物半导体光电二极管[ 23].二极管的光电性能会随着氧化物的变化而变化。通常，光电二极管的增强光电流是由光子产生的载流子引起的，这也在石墨烯/二氧化硅/硅光电二极管中得到证明[ 24].据报道，由于少数载流子的限制，光电流在低电压下会呈现饱和特性 23, 25].由于高k材料对MOS结构的性能起着重要的作用，我们尝试用高k的HfO2薄膜作为氧化层来制备MOS器件，以消除低电压饱和。 在本工作中，我们报道了一种基于金/氢氧化铪/磷硅结构的新型光电二极管。该器件表现出显着的紫外(UV)控制光电二极管效应。它只用紫外线照明。在8 V偏压下，23.5 mW/cm2紫外光强度下产生的光电流达到42 mA，并随着紫外光强度的增加而增加。值得一提的是，当外加电压达到8 V时，光电流仍然不饱和。吸收光谱和光致发光光谱都表明，二氧化铪薄膜对紫外波段具有优异的透射率。此外，在实验结果的基础上，系统地研究了电子空穴对产生时界面态从暗态到弱注入态再到强注入态的演化。 方法 金/氢氧化铪/磷硅结构的金属氧化物半导体光电二极管如所示 Fig. 1。通过射频溅射在用氢氟酸和无水乙醇清洗的p型硅衬底上沉积二氧化铪层。在溅射过程中，基底真空压力、气体流量比、溅射功率和沉积时间分别为5.0×103帕、氩∶氧= 40∶10、400瓦和30分钟。然后，样品在750℃快速退火炉中在O2气氛下退火10分钟，以改善二氧化铪膜的结晶。为了测量相关的光电性质，通过SBC-12小型真空镀膜机在室温下制备了阵列金电极，样品上覆盖有金属掩膜。(金与二氧化氢接触  图1。金/氢氧化铪/磷硅结构示意图:磷硅为衬底，金为顶部或底部电极。 薄膜作为顶部电极并与作为底部电极的p型硅接触)。 在日立S-8000上