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第1页/共33页典型的电阻率如下：第一页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第2页/共33页有哪些半导体？第二页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第3页/共33页元素半导体（element）：由一种材料形成的半导体物质。化合物（compolund）半导体：由两种或两种以上元素形成的物质。二元化合物GaAs--- -— 砷化镓SiC — 碳化硅Zns — 硫化锌GaN — 氮化镓三元化合物AlGa11As — 砷化镓铝AlIn11As — 砷化铟铝第三页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第4页/共33页孤立硅原子的图示第四页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第5页/共33页第五页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第6页/共33页本征半导体当半导体中的杂质远小于由热产生的电子空穴时，此种半导体称为本征半导体（Intrinsic Semiconductor）此时EF在禁带中央。第六页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第7页/共33页非本征半导体当半导体被掺入杂质时，本征半导体就成为非本征（extrinsic）半导体。第七页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第8页/共33页施主与受主施主：当杂质掺入半导体中时，若能释放一个电子，这种杂质被称为施主。如，磷，砷就是硅的施主。受主：当杂质掺入半导体中时，若能在半导体中产生一个空穴，这种杂质称为受主。如，硼，铝就是硅的受主。第八页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第9页/共33页N型半导体以电子为多数导电载流子的半导体称为N型半导体，电子为多子，空穴为少子。第九页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第10页/共33页P型半导体以空穴为多数导电载流子的半导体称为P型半导体，空穴为多子，电子为少子。第十页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第11页/共33页本征半导体的载流子浓度ni=n0=p0n0＊ p0= ni2 热平衡条件第十一页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第12页/共33页 非本征半导体的载流子浓度一般情况下： 第十二页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第13页/共33页电阻率与杂质浓度的关系：n型半导体：p型半导体：本征半导体： 第十三页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第14页/共33页平衡载流子处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的，这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。n0 p0= ni2第十四页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第15页/共33页非平衡载流子处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0，可以比他们多出一部分，多出这部分载流子称为非平衡载流子，用△n和△p 表示。第十五页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第16页/共33页光照产生非平衡载流子 第十六页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第17页/共33页非平衡载流子的寿命非平衡载流子平均生存的时间称为非平衡载流子的寿命。由于相对于非平衡多数载流子，非平衡少数载流子的影响处于主导地位，因而非平衡载流子的寿命常称为少数载流子寿命。第十七页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第18页/共33页复合理论直接复合（direct recombination）间接复合（indirect recombination）表面复合（surface recombination）第十八页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第19页/共33页直接复合由电子在导带与价带间直接跃进而引起的非平衡载流子的复合过程。第十九页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第20页/共33页间接复合非平衡载流子通过复合中心的复合。第二十页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第21页/共33页表面复合 是指在半导体表面发生的复合过程表面处的杂质和表面处特有的缺陷也在禁带形成复合中心能级，因而，就复合机构讲，表面复合仍然是间接复合。实际测得的少子寿命应是体内复合和表面复合的综合结果。设这两种复合是单独平行发生的。用 表示体内复合，用 表示表面复合。总的复合机率为：τ称为有效寿命。第二十一页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第22页/共33页复合过程中能量的释放　载流子复合时，一定要释放多余的能量，放出能量的方法有三种：发射光子，即伴随着复合，将有发光现象，常称为发光复合或辐射复合。发射声子，载流子将多余的能量传给晶格，加强晶格的振动（使硅体发热）。将能量给予其它载流子，增加它们的动能，称为俄歇（Auger）复合 第二十二页，编辑于星期日：二十一点 三十三分。第23页/共33页二．P-N结P-N结是怎么形成的？在一块n 型（或P型）半导体上，用适当的工艺方法把P型（或n型）杂质掺入其中，使不同区域分别具有n型和p型的导电类型，在二者的交界处就形成了p-n结。第二十