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第1页/共25页图形电镀工艺流程※工艺流程 上板→除油→水洗→微蚀→水洗→酸浸→镀铜→水洗→酸浸→镀锡→水洗→下板→退镀→水洗→上板第一页，编辑于星期六：十二点 四分。第2页/共25页图电工序主要工艺参数流程主要药水成分主要工艺参数作用除油Acid Cleaner ACD（ATO）操作温度：28-32℃、操作时间：3-5min、浓度：15%-20%清洁板面微蚀NPS（过硫酸钠）+H2SO4操作温度：24-28 ℃、操作时间：1-2min、微蚀速率：0.7-1.3um/cycle去除氧化物、粗化铜面酸浸H2SO4操作温度：室温、操作时间：0.5-1min、浓度：7%-12%去除轻微氧化及维持药水浓度镀铜CuSO4、Cl-、H2SO4、光剂操作温度： 22-27℃、镀铜时间：86min或更长加厚铜镀锡SnSO4、H2SO4、光剂操作温度： 18-22℃、镀锡时间：10min或更长镀锡为碱性蚀刻提供抗蚀层退镀HNO3操作温度：室温、退镀时间：5-8min去除电镀夹具上的镀铜第二页，编辑于星期六：十二点 四分。第3页/共25页流程详解※除油（Acid Clean)1、流程目的：清洁铜面，去除上工序的残膜及人手接触后的指印等油性污垢（使用酸性溶液，以免使干膜受损）。2、主要成分：Acid Cleaner ACD(ATO) 3、操作温度：28-32 ℃4、处理时间：3-5min第三页，编辑于星期六：十二点 四分。第4页/共25页流程详解※微蚀（Micro Etch)1、流程目的：除去铜面上的氧化物,粗化铜面，提高镀层结合力。2、主要成分：过硫酸钠、硫酸3、操作温度：24-28℃4、处理时间：1-2min第四页，编辑于星期六：十二点 四分。第5页/共25页流程详解※镀铜预浸（Pre-dip for Cu Plate) 1、流程目的：用稀硫酸除去铜表面的轻微氧化；维持镀铜缸之酸度，减小镀铜缸成份的变化。 2、主要成分：硫酸 3、操作温度：室温 4、处理时间：0.5-1min第五页，编辑于星期六：十二点 四分。第6页/共25页流程详解※镀铜（Copper Plate)1、流程目的：在酸性硫酸铜镀液中，铜离子不断的得电子被还原为金属铜，沉积在板面及镀铜孔内，直至达到所需的厚度。2、主要成分：硫酸、硫酸铜、氯离子、 Brightener 125T-2(RH)、 Carrier 125-2(RH)3、操作温度：22-27℃4、处理时间：86min第六页，编辑于星期六：十二点 四分。第7页/共25页流程详解※镀锡预浸（Pre-dip for Tin Plate) 1、流程目的：用稀硫酸除去铜表面的轻微氧化；维持镀锡缸之酸度，减小镀锡缸各主要成分变化。2、主要成分：硫酸3、操作温度：室温4、处理时间：0.5-1min第七页，编辑于星期六：十二点 四分。第8页/共25页流程详解※镀锡（Tin Plate)1、流程目的：在酸性硫酸亚锡镀液中，亚锡离子不断的得电子被还原为金属锡，沉积在已经镀铜的板面及孔内，直至达到所需的厚度。2、主要成分：硫酸、硫酸亚锡 EC Part A(RH) EC Part B(RH)3、操作温度：18-22℃4、处理时间：10min或更长第八页，编辑于星期六：十二点 四分。第9页/共25页流程详解※夹具退铜（Rack Strip)1、去除电镀夹具上的镀铜，方便下一循环的电镀进行。2、主要成分：硝酸3、操作温度：室温4、处理时间：5-8min第九页，编辑于星期六：十二点 四分。第10页/共25页图形电镀设备第十页，编辑于星期六：十二点 四分。第11页/共25页待图电的板第十一页，编辑于星期六：十二点 四分。第12页/共25页图电后的板第十二页，编辑于星期六：十二点 四分。第13页/共25页蚀刻工序※制程目的 蚀掉非线路铜（底铜和板电层），获得成品线路图形，使产品达到导通的基本功能。第十三页，编辑于星期六：十二点 四分。第14页/共25页蚀刻工艺流程※工艺流程 退膜→水洗→蚀刻→水洗→退锡→水洗→烘干第十四页，编辑于星期六：十二点 四分。第15页/共25页蚀刻工序主要工艺参数流程主要药水成分主要工艺参数作用退膜NaOH浓度：1.8%-3.0%操作温度：28-50℃速度：2.0-4.0m/min压力：2.0-2.5bar退掉干膜蚀刻 CuCl2NH4ClNH4Cl比重：1.170-1.190操作温度：48-52 ℃速度：2.0-5.0m/min压力：1.5-3.3bar蚀掉非线路铜层退锡SS-188（HNO3）总酸度：3.8-4.5N操作温度：20-38 ℃速度：2.0-4.0m/min压力：1.8-2.2bar退掉抗蚀层-镀锡层第十五页，编辑于星期六：十二点 四分。第16页/共25页流程详解※退膜 退膜制程所使用的化学药液以NaOH为主，