拉晶工艺的相关知识重点.pdfVIP

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  • 2021-12-07 发布于天津
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招专业人才上一览英才拉晶工艺的相关知识一与杂质有关的几个概念杂质来源杂质类型施主杂质受主杂质电中性杂质杂质位置杂质能级浅能级杂质深能级杂质深能级杂质金在锗中的能级及杂质补偿当锗中有型浅施主杂质时当锗中有型浅受主杂质时二掺杂剂的选择电学性质原子半径核外电子结构尽量选择与锗硅原子半径近似的杂质元素作为掺杂剂以保证晶体生长的完整性型掺杂族型掺杂族物理化学性质固溶度蒸发系数分凝系数扩散系数杂质原子半径越大特征原子构型与锗硅的越不同它们在锗硅中的固溶度越小族在锗硅中固溶度大快蒸发杂质的掺杂不宜在真空而应在

招专业人才 上一览英才 拉晶工艺的相关知识 一、与杂质有关的几个概念 杂质来源:杂质类型施主杂质受主杂质电中性杂质 杂质位置:杂质能级浅能级杂 质深能级杂质 深能级杂质金在锗中的能级及杂质补偿 (1)当锗中有 N 型浅施主杂质时 (2 )当锗中有 P 型浅受主杂质时 二、掺杂剂的选择 1、电学性质:原子半径、核外电子结构 尽量选择与锗、硅原子半径近似的杂质元素作为掺杂剂,以保证晶体生长的完整 性 N 型掺杂: V 族 P 型掺杂: III 族 2、物理化学性质:固溶度、蒸发系数、分凝系数、

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