第一章 常用半导体铪器件34477.pptVIP

1.1.3 PN结;电流方程：; 显然，PN结正偏时有一个门槛电压，也称为“死区电压”或“开启电压”。锗管的死区电压大约为0.1V；硅管的死区电压大约为0.5V。 正偏时，PN结两端的电压略有增加，则正向电流会急剧增加，故在正偏时，PN结的正向电流在很大范围内改变时，其两端的正向电压几乎不变。 正偏时的温度特性：温度升高，曲线左上方向移动。即如果电流恒定，则压降降低；如果电压恒定，则电流增大。原因：少子漂移运动加强，削弱内电场。;1.1.3 PN结的反向特性;1.1.3 PN结的击穿特性; 利用PN结的击穿特性可以制成稳压二极管。控制PN结的掺杂浓度可以控制稳压二极管的击穿电压大小。 实际上PN结在反向击穿时往往同时具有齐纳击穿和雪崩击穿，但是当击穿电压比较低时以齐纳击穿为主，而击穿电压比较高时则以雪崩击穿为主。 齐纳击穿具有负的温度特性，而雪崩击穿则具有正的温度特性。齐纳击穿和雪崩击穿的分界点大约在5.7V。所以，5.7V附近的稳压管温度稳定性最好。 如果PN结击穿时反向电流过大，则会造成PN结的功率消耗过大，结温会升高到破坏PN结的晶体结构的程度，这会造成PN结的永久性损坏，故需要在回路中串联限流电阻。如果不发生热损坏，则PN结的击穿是可逆的。;1.1.3 PN结的结电容;势垒电容;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2.2 二极管的伏安特性;1.2.3 二极管的主要参数——略;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 双极型晶体管;1.3.1 晶体管结构及类型;电流放大基本原理—— 发射区的多数载流子电子大量扩散到基区（因为发射区高掺杂），其中只有少量电子被基区的空穴复合（基区低掺杂且宽度很小），剩余的大量电子拥入集电区，而集电区处于反偏，且集电区面积很大，故对于发射区扩散过来的电子具有吸收作用。大量的从发射区扩散到基区的电子除了极少数被基区空穴复合以外，全部在集电结的电场作用下漂移到集电极形成集电极电流。 管子结构一定，则集电极电流与基极电流的比例关系就被确定，而且集电极电流比??极电流大得多，从而实现电流放大作用。;1.3.1 晶体管结构及类型;1.3.2 晶体管的电流放大作用（NPN）;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.3 晶体管共射特性曲线;1.3.3 晶体管共射特性曲线;1.3.4 晶体管的主要参数;1.3.4 晶体管的主要参数;1.3.5 晶体管的温度特性;温度对输出特性的影响;THANKS