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3D-IC TSV 堆叠技术之发展趋势 时间：2021-10-06 12:35:17 来源：今日半导体 编辑：许明哲 1 詹印丰 1 李景贤 2 一、引言 半导体技术必须持续发展，以增加 IC 性能与功能，同时减小芯片尺寸，降低耗电量 与成本。目前我们已发展出具创新性、小尺寸、成本效益之三维导线互连技术，可满足以 上需求。其中，硅导孔(Through Silicon Via; TSV) 技术由于采取三维互连方法，可加 速晶片堆叠技术上之应用，尤其在异质元件整合上，具有重要地位。针对多晶片整合需求， 3D 堆叠技术是