第五章+霍尔式家传感器.ppt

3） 不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件的激励电流为I时, 若元件所处位置磁感应强度为零, 则它的霍尔电势应该为零, 但实际不为零。 这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。 产生这一现象的原因有: ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上;  ② 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀;  ③ 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。  不等位电势也可用不等位电阻表示 4） 寄生直流电势 在外加磁场为零, 霍尔元件用交流激励时, 霍尔电极输出除了交流不等位电势外, 还有一直流电势, 称寄生直流电势。 其产生的原因有:  ① 激励电极与霍尔电极接触不良, 形成非欧姆接触, 造成整流效果;  ② 两个霍尔电极大小不对称, 则两个电极点的热容不同, 散热状态不同形成极向温差电势。寄生直流电势一般在 1mV以下, 它是影响霍尔片温漂的原因之一。  5） 霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和激励电流下, 温度每变化1℃时, 霍尔电势变化的百分率称霍尔电势温度系数。它同时也是霍尔系数的温度系数。  6）自激场零电动势 当霍尔元件通一输入电流时 该电流就会产生磁场，这个磁场 就称为自激场。见右图 ： 由于元件的左右两半场相等，故产生的电动势方向相反而抵消。实际应用中由于输入电流引线也产生磁场，使元件左右两半场不相等，因而有电压输出，该电压就是自激场零电动势。克服其影响的方法就是在安装输入电流引线时适当安排。 温度还影响霍尔元件的内阻即输入阻抗和输出阻抗。 不同材料制成的霍尔元件，其内阻与温度关系不同 。 当负载电阻比霍尔元件输出电阻大的多时，输出电阻变化对输出的影响很小。这时就只考虑输入端进行补偿，简单的温度补偿方法是用恒流源补偿。这就是的当输入电阻随温度变化时，输入电流变化极小，从而减小了输入端的温度影响。 5.2霍尔式传感器的基本测量电路 霍尔元件的基本测量电路如右图： 控制电流I由电源E提供，R---调节电阻 用来根据需要改变I的大小。ＲL 可以 是放大器的输入电阻或表头内阻，所加 的外磁场B一般与霍尔元件的平面垂直。 在实际测量中可以把I或B或I*B作为 输入信号，通过霍尔电压输出得到测量 结果。 控制电流可以是交流量。由于建立霍尔效应所需的时间极短，所以控制电流的频率可高达 Hz以上。 一、将被测量转换为磁感应强度B（恒流源） 保持霍尔元件的控制电流I恒定不变，就可以测量磁感应强度B，以及位移、角度等可直接转换为B的物理量，进一步还可以测量先转换成位移或角度、然后间接转换为B物理量，如振动、压力、速度、加速度、转速等。 二、将被测量转换为控制电流I（恒压源） 保持霍尔元件上所施加的磁感应强度B恒定不变，就可以测量控制电流I，以及可以转换为I的物理量，如电压等。 恒压驱动电路简单，但性能较差。随着磁感应强度增加，线性变化坏，仅用于精度要求不太高的场合；　　恒流驱动线性度高，精度高，受温度影响小。 三、将被测量转换为I与B 的乘积 种类应用可进行乘积运算，并可测量可以转换为乘积运算的物理量。可测量单相负载上的无功功率，也可测量三相负载上的有功功率（I*U*cosφ ）和无功功率（I*U*sinφ ）。 5.3霍尔式传感器的误差与补偿 一、零位误差与补偿 在分析零位电动势时，可将霍尔元件等效为一个电桥，如图所示。控制电极A、B和霍尔电极C、D可看做电桥的电阻连接点，R1、R2、R3、R4构成四个桥臂，控制电压可看为电桥工作电压。理想情况下：Um =0,电桥平衡，R1=R2=R3=R4；如霍尔元件的某种结构原因造成Um ≠0，这时4个电阻的阻值有差异， Um 就是电桥的不平衡输出电压。 产生Um 的原因为等效电桥的四 个桥臂电阻不相等，所以任何能够使 电桥达到平衡的方法都可作为零位电 势的补偿方法。有基本和 温度补偿电路。 （一）基本补偿电路 霍尔元件的零位电动势补偿电路有多种，下图是两种常见电路，其中Rp是调节电阻。（a ）是在造成电桥不平衡的电阻值较大的一个桥臂上并联Rp ，通过调节Rp使电桥达到平衡状态，称为不对称补偿电路。（b）相当于在两个电桥上并联调节电阻，称为对称补偿电路。 基本补偿电路没有考虑温度变化的影响。实际上，由于调节电阻Rp与霍尔元件的等效桥臂电阻的温度系数一般都不相同，所以某一温度下通过调Rp使Um =0，当温度发生变化时 ，平衡又被破坏了，这时又要重新调节。